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[其它] 基于无杂质空位混杂法制备带有无吸收窗口的940 nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器研究
说明:为提高940 nm半导体激光器抗灾变性光学损伤(COD)能力,采用无杂质空位量子阱混杂技术制备了带有无吸收窗口的940 nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器。借助光致发光光谱分析了退火温度和介质膜厚度对GaInP/GaAsP/GaInAs单量子阱混杂的影响;通过电化学电容电压(EC-V)方法检测了经高温退火后激光器外延片的掺杂浓度分布的变化情况。实验发现,在875 ℃快速热退火条件下,带有磁控溅射法制备的200 nm厚的SiO2盖层样品发生蓝移达29.8 nm,而电子束蒸发法制<weixin_38592847> 在 上传 | 大小:2097152