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高密度感应耦合等离子体中合成的嵌入低氧化硅中的纳米晶硅
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上传时间: 2021-03-13
详细说明：埋在次氧化硅（SiOx）的介电基体中的纳米晶硅（nc-Si）两相材料系统对于光子和光伏器件（例如发光二极管和太阳能电池）具有重要的技术意义。 非晶态SiOx中的nc-Si是通过SiH4 + CO2 + H-2的低频（460 kHz）电感耦合等离子体（LFICP）合成的，而没有常见的高氢稀释途径。 复合材料系统的化学组成，微观结构和光学性质可通过CO2 / SiH4的React气体流速比来调节。 借助SEM和TEM表征工具观察到由于相分离而嵌入非晶SiOx中的nc-Si。 nc-SiOx：H中的晶体体积分数由嵌入的nc-Si颗粒的密度和a-SiOx封装壳层的出现来决定。 键构型分析显示了在结合氧的同时进行的氧化和脱氢过程。 根据所利用的高密度LFICP的独特特征，讨论了形成两相复合材料体系的基本机理和随React气体流量比的相演化。
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