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有光和无光条件下氢封端多Kong硅的降解机理
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上传时间: 2021-02-25
详细说明：Si是众所周知的半导体，其基带隙能量为1.12eV。 它的导带中的光生电子可以与普遍存在的氧React分子产生·O2 −自由基，但价带中的光生空穴不能与OH-相互作用产生·OH自由基。 在本文中，我们研究了降解存在氢的多Kong硅（H-PSi）中的甲基橙（MO）的合成在没有光的情况下降解的MO溶液的吸收光谱表明H-PSi具有优异的降解能力。 在黑暗中，还原染料的转移仅通过氢转移发生。 但是，在室内光线下， 染料分子可以先通过氢转移来还原，然后在氢中分解导带和价带。 该结果应归因于其宽带隙能量集中在1.79-1.94 eV。
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