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上传时间: 2021-01-20
详细说明：MOSFET和IGBT内部结构不同，决定了其应用领域的不同。
1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但是前提耐压能力没有IGBT强。
2、IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ，上MHZ，以至几十MHZ，射频领域的产品。
3、就其应用，根据其特点:MOSFET应用于开关电源，镇流器，高频感应加热，高频逆变焊机，通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机，逆变器，变频器，电镀电解电源，
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