文件名称:
SVF8N60T/F-datasheet
开发工具:
文件大小: 433kb
下载次数: 0
上传时间: 2019-03-26
详细说明: SVF8N60T/F为N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动,LED驱动电源。
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