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开关电源PCB电路电磁辐射研究2/2.pdf
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详细说明:开关电源PCB电路电磁辐射研究2/2pdf,硕士论文-开关电源PCB电路电磁辐射研究4.2.1.2电路实现
电路选择的元器件如下
开关管IRF250;续流二极管MUR860;UC1825控制芯片。
由咸I=59H:电容C=48
芯片的取样电阻由图42中的214592替换为14.5g,其它的外围电路鄱与图
4-2相同
4.2.2仿真与结果分析
对电路进行仿真时,迹线与4.1.3.1中作相同处理。
考虑迹线分布参数后的主电路如下图所示:
n003n
03n
1
图49主电路
先对图49中各支路电流进行时域仿真,再对相应的信号取傅里叶变换作频域
分析。
4.2.2.1时域信号
1)负载输出信号
v(t - pnr
it).m'Ir
42
24
1.6
==--+--=+-------------=-
08
38
00
2010m20m30m40m50m6n
0010m20m30m40m50m60r
t(s)
图4-10(a)负载电压
图4-10(b)负载电流
电路启动3ms后,输出电压纹波ΔV。<0.02V,基本符合设计要求
(2)开关管驱动信号
vg(t-ir(250
180
10.0
0.口
5毛
64ub8uyru8u8488u92u96u100u104u108u1121116u120u124u
图41驱动信号
4.2.2.2频域信号
1)4r250
is()-i250
0
00
50.0
60
-120.0
0.0
18.0
-1800
HE
f(Hz)
图4-12(a)开关管漏极电流
图4-12(b)开关管源极电流
g(t)-ir1250
It)-L-trace1
00
0.0
-600
60
120g
-120.0
180.g
180.0
U0 2Umeg 4Umeg aumeg aurr eg
UU 2Umeg 4Umeg bLmeg 8umeg
f(H2)
1(H2)
图4-12(c)开关管栅极电流
图4-12(d)迹线1分布电感电流
i①)- C-trace1
i 1)-mur86O
00
-E0
1800
180.0
oo 20meg 40meg 6omeg comes
0.0 2Om eg 40meg 6Omeg 8dmeg
f(Hzy
T(H2)
图4-12(c)迹线1分布电容电流
图4-12(二极管电流
(t2-L(L-tr ac ea)
00
Q, o
600
60
issaquah
12
-120.0
180.0…
-1800
240.0
00 20meg 40meg bOm eg BOmeg
0.0 20neg 40neg 60rneg 80meg
f(H
图4-12(g)电感电流
图4-12(h)电容电流
I(t)zload
(fy C tracon
60.0
e-1200
-180
OC 20meg 4Omeg 6Om eg EOmeg
0.0 20m eg 40meg som eg comes
f(Hz)
图4-12(i)负载电流
图4-12(j)迹线分布电容电流
i#250
00
《M的的的的
-900
→--+"+------
·-
1200
0.0 172 0k 344 0k 51b0k bB80k 8600k 1.0G2meg1204meg1 376meg. 548meg 1 72meg 1892mer 2 064medp. brega 40 Smeg
t(H2)
图4-12(k)环路电流
35
4.2.2.3结果分析
分析以上各支路电流频谱可以得到:
(1)开关管漏极、源极、迹线1分布电容、二极管上的电流幅值比其它支路电流幅
值(电咸、线?分布电咸、济线2讣布电容、由容、值载)大20dB以卜.即由流
值大一个薮量级以上,在分析谐波电流辐射场时,可以把漏极、源极、迹线1分
布电容、二极管支路电流作为主要射源。
②2)在漏极、源极、迹线1分布电容、二极管支路电流86kH厶(开关频率)的整薮倍的
频率上出现较大峰值。在相同的频率下,它们的电流幅值近似相等,可以认为它
们组成一个高频电流环路。
为了计算辐射场,表4-4给岀了高频电流环路的一些谐波电流幅值
長4-4buck变换器的典型环路谐波电流
(MHz) i(dB)(mA) f(MHz) i(dB )-(ma) f(MHz) i(dB)-(mA
0.086-5
5620.86
25
12
0.172-14
2000.946-10
316
251
0.258-10
3161032-12
2511806-12.5
237
0.344-12
2511,118-10
3161.892125
237
043
3551204
97813
0.516-11
2821.29
260412.5
237
0.6029
3551.376
2512.15
-14
0.688
7,5
4221462-12
2512,236-14
200
0.77495
178
4.3Buck- Boost电路设计与仿真
Buck- Boost变换器,工作在电感电流连续方式,其有关电气参数为:
输入电压Ⅴs=16V~32V;开关频率fs=86kHz;输出电压为Ⅴ=3.2V
负载R=32g2;允许纹波电流△1<0.8A。
4.3.1电路设计
电路选择的元器件如下:
开关管IRF250;续流二极管MUR860;UCl825控制芯片:电感L=107H
电容C=43.5uF。
芯片的取样电阻由图42中的214.5g2替换为94.592,其亡的外围电路郗与图
4-2中相同设置。
考虑迹线分布参数的主电路如图4-13所示。
L-tracel
mur860 L-trace2
0.0a:m
0.003m
C-1ra
L
0,32l
0136u
0.136U
图4-13主电路
4.3.2仿真与结果分析
对电路进行时域频域电流仿真。
4.3.2.1时域信号
1-7o3
50,0m
-32
3202
750m4.
204
3206
-0.125
3208-…
0.010m
Orn =om 4.On 5.0m
001.0m2.0m30m40m50m
1(s〕
佟4-l4(a)负载电流
图4-14b)负载电压
Ct-Irt=
弓.
tts)
图4-15开关管控制信号
4.32.2频域信号
d()-ir250
istt)-irt250
0
10
-50.04……
=·=“请
-50.0
-1000
-1000
15304-…
150.0
2000
200.0-…
2520
-250.0
00 20meg 40meg 6dmeg 8cmeg
0.0 20meg 40meg 60meg 80meg
(H2)
T(Hz)
图4-16(a)开关管漏板电流
图4-16(b)开关管源极电流
ig(f)-irf250
i(f-L-trac ef
00
5:0
-500
-100.0
-100.0
150.0
-150.0
200.0
2000
500
-250.0J
0.0 20meg 40mcg sOmes bOmer 1 DOrr
0.0 20meg 40meg 6ameg 8or
图4-16(c)开关管栅极电流
图4-16(d)迹线1分电感电流
i()-C-tracet
C
0o
0.0
-50.
-50.0
-100.
-100.0非-
150D
150.0
2004…………÷
世 rtn
2000
-250D
25Q0
0.0 2 meg 40meg 60meg 8Omeg
0.0 20meg 40meg 60meg sOm eg
图4-l6(e)迹线1分布电容电流
图4-l6()电容电流
i(f)-C-trac e2
i(f)-mura6O(L-tr ac e2)
0.0
0.0
500
-50.0
-1000
1000
1500
1500
-20Q0
2Q00-
-2500
250,
0.0 20meg 10mea 50meg bOm eg
0.0 20meg 4Cmeg 60meg 80meg
fCHZ:
图4-16(9)迹线2分布电电流
图4-16(h)二极管申流
)-L
i(f)zload
00
0.0
50.01-.--1-
500
1000
100.0
169,Q
2000
250.0Jb
0.0 20meg 40meg 60meg 80meg
0.0 20meg 40rmeg 50meg Bones
f(Hz)
图4-16i申感电流
图4-16(i裁申流
g
00
1200
072:...1220476417n四y18m4224
f(H2)
图4-17环路电流
4.3.2.3结果分析
从图4-16和图417可以分析得到:
1漏极、源极、迹线1分布电容上的电流幅值比其它支路(电感、迹线2分布电感、
迹线2分布电容、电容、负载)电流幅值大30dB以上,可以认为是主要辐射源:
2.漏极、源极、迹线1分布电容上的电流在开关频率的整数倍的频率上出现较大峰
值。可以认为漏极、源极、迹线1分布电容组成了一个辐射相对较强的高频电流
环路
第五章开关电源电磁辐射建模与仿真
干扰源以电磁辐射的形式向空间发射电磁波,使处在近场区和远场区的敏感
电路和接收电路存在着被干扰的威胁。基于第四章中谐波电流分布特征分析,木
章将建立一些简单模型来进行PCB板上丌关电源主回路的辐射发射的预测。
5.1偶极子天线原理
最基本的两种模型是电偶极子和磁偶板子
5.1.1电偶极子
电偶极子是长度足够短的载流导线,它的长度l远小于电磁波长(!≤/20),
因此可以认为沿着导线的所有点上的电流(幅度和相位)都相同。电偶极子沿z轴放
置,中心在坐标原点。当不考虑反射和折射时,在距电偶极子r处P点产生的电磁
场强度为
E=H=H=0
(5-1a)
nk
E
i(6)3cos9.2
(5-1b)
2丌uEn(kr)
十
]sinb·e
(5-1c)
AT01O0
k
(5-1d)
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