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文件名称: AN1299A-CN PMSM无传感器FOC三相电流重构算法.pdf
  所属分类: C++
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  上传时间: 2019-07-26
  提 供 者: sectio******
 详细说明:在无传感器方法中,可以使用流经电机线圈的电流提供的信息,对电机位置进行估计。实现该传感技术可采用以下两种途径:双分流电阻和单分流电阻。 为了估计电机位置,双分流电阻技术利用的是流过两个电机线圈的电流所蕴含的信息。单分流电阻技术仅利用流经直流母线的电流所蕴含的信息,进而重构三相电流,然后估计电机位置。AN1299 使用单分流电阻的优缺点 实现细节 优点 为了用交流信号驱动电机,PWM方法用来驱动三相逆 变器中的开关晶体管。这种调制以及得到的调制波形如 前已述及,单分流三相重构的最重要原因之一是要降低 图5所示。 成本。而这进而又把采样电路简化至一个分流电阻和 通过向PWM发生器模块载入一组占空比值,可以生成 个差动放大器。 正弦波形。查找表屮的值表示被调制的正弦波,所以 除了降低成本的益处之外,单分流算法还允许使用功率 旦把这些占空比值经过逆变器送至电机绕组,电机绕组 模块,功率模块不用为每相提供单独的接地连接ε 将针对廾关模式进行滤波。得到的正弦波如图5所示。 单分流测量的另一个益处是检测全部三相时使用的电路 正弘值査找表的缺点在于其所能达到的最大值仅为输入 相同。对于全部测量,增益和偏移都将是相同的,这就 电压的86%。另一种正弦调制方法是空间矢量调制,可 不再需要校准每相的放大电路或者在软件中进行补偿。 用来克服这一限制。SM允许100%地利用输入电压。 在若干应用笔己中对SVM进行了说明和使用,诸如 缺点 AN908,《使用dsPC30F实现交流感应电机的矢量控 制》以及AN1017,《使用 dsPIc30FDSC实现PMSM 在单分流测量期间,为了允许测量电流,需要对正弦调 电机的正弦驱动》。使用SVM生成的典型电压波形如 制模式进行修改。这种模式修改可能会产生一些电流纹 图6所示 波。由于模式修改以及对修改的校正,实现算法时会占 用史多的CPU资源。 图5:正弦调制< R 08 Carrier 06 0.4 0.2 2 T PWM 0.5 0.5 3 5 2( O 2009 Microchip Technology Inc DS01299ACN第3贝 AN1299 图6:空间矢量调制(svM) 100% PWM1 50 PWM2 PWM3 SVM 在计算产生的线电压时,我们得到三个相移为120°的正 弦波形,如图7所示。 图7:计算得到的线电压 LVBU OV VA-VB VB-∨e BUS 区间 IlI DS01299ACN第4页 c 2009 Microchip Technology Inc AN1299 SvM和电流测量的关系 为了观察PWM调制与(通过单分流电阻的)电流测量 之间的关系,让我们考虑PWM周期2的例子。由于只 在测量流经单分流电阻的电流时,底部开关的状态至关 对低侧开关PWM感兴趣,我们将只显示PWM的 重要。为了说明这一点,放大SVM的区间见图8。 PWMXL分量(图9) 另外,还给出了每个开关醋伓管工的PWWM形。 图8:区间中开关晶体管上的PWM信号 100% PWM1 50% PWM2 PWM3 PWM1H PWM1L PWM2H PWM2L PWM3H PWM3L PWM 2 4 6 图9:测量电流的采样时间窗 PWM1L PWM2L PWM3L T1 T2 T3 T2 T1 O 2009 Microchip Technology Inc DS01299ACN第5贝 AN1299 对于三相逆变器,我们将分析此周期的所有不同的 图12 电流IA流经分流电阻 PWMXL组合(T0、T1、T2和T3),了解电流测量代 表着什么。从T0开始,在逆变器中我们有如下的电子 开关( MOSFET或|GBT)组合,从中我们看到,没有 电流流经单分流电阻(图10)。 图10:无电流流经分流电阻 VBUS IBUS=IA VEUS 3 T3的情形与T0一样,其中没有电流流经分流电阻,所以 BUs=0,如佟13所 SIBus=C 图13: 无电流流经分流电阻 进到T1,我们看到PWM2L有效,同时PWMH和 wM3H也有效(目前沒有显示,但假设PWM输出是互 补的)。由于有电流通过相A和C流入电机,通过相B 流出电机,我们可以认为此电流洌量值表示的是-B,如 VBUS 图11所 图11:电流l流经分流电阻 BUS =O 在PWM周期的后半周,模式将重复。考虑一个完整的 3 PWM周期,电流代表实际相电流的时间窗有两个。在这 VBUS 个例子中,在一个PWM周期中对-B和|A进行测量。 由于这是平衡系统,IC可使用公式2计算得到。这就 许使用单分流电阻在一个PWM周期中完成三个电流的 测量 IBUS =-IB 公式2:Ic计算 在T2期间,PWM2L和PWM3L有效,且PWMH有 效。这种组合给出的是流经单分流电阻的电流IA,如 图12所示。 生成真值表(表1)将有助于解释:对于电子开关的所 有可能组合,测得的电流表示着什么。首先,让我们对 图14中的每个电子开关进行命名 DS01299ACN第6页 c 2009 Microchip Technology Inc AN1299 图14:分流电阻真值表命名约定 特殊情况 存在不允许单分流三相重构的特殊情形 H 2H 3H 在高调制指数期间,占空比相似或相等 由于正弦波形是使用SVM产生的,会有一些PWM周 期,其间要进行电流采样的时间窗口不够宽。这种情形 IL 3L 的例子之一是PWM周期1,如图8所示。如果加以放 大的话,我们注意到PWML和PWM3L是相同的,这 导致T2为0。图15所示是这种情况的放人图。 BUS= 0 这种情形不允许单片机测量第二个电流。所以,对于这 个周期,不能重构得到三相电流信息。 表1所示是对于全部八个可能的电路组合,BUs代表 着什么。应牢记:来自同一桥臂上下两部的开关不可能 在同一时间导通,因为要避免盲通,从而这些组合在表 中没有列出。另外,任何其他组合,只要不允许电流流 过分流电阻,也没有在表1中给出。 表1:分流电阻真值表 H 2H|3H 1L 2L 3LIBUS on OFF OFF OFF ON oN +IA OFF ON OFF ON OFF ON+IB OFF OFF ON ONON OFF+Ic OFF ON ON ON OFFOFF -IA ON OFF ON OFF ON OFF-IB ON ON OFFOFFOFF ON 图15:相似占空比的采样时间窗口 PWM1L PWM2L PWM3L T3 T2=0 O 2009 Microchip Technology Inc DS01299ACN第7贝 AN1299 低调制指数期间占空比的相似性 我们可以看到,占空比是如何接近50%的。实际上,0 低调制指数指的是调制信号的幅值低,这是相对于高调 调制指数将在所有PWM输出上产生50%的占空比 制指数而言的,在高调制指数的情形,由于调制信号的 让我们仔细看一下PWM周期4,如图17所示,看看当 高幅值,占空比甚全能达到100%。低调制抬数通常用 使用单分流电阻重构三相电流时都有哪些局限性 在电机轴上无负载时。因此调制信号的嘔值低。由于互 考虑用来测量流经单分流电阻电流的两个窗口,T1和 补模式用来调制正弦电压,占空比以50%为中心。如果 T2。要让差动放大器的输出达到稳态值,这两个时间窗 研究与前面相同的区间,对于低调制指数而言,最终将 口可能太小了。 出现的情况类似于图16。 图16: 低调制指数期间的相似占空比 100% 50% PWM2 0% PWM1H PWM1L PWM2H PWM2L PWM3H PWM3L PWM 周期 图17 低调制指数期间,相似占空比的采样时间窗口 PWM1L PWM2L PWM3L T1 T2 T3 T1 TO DS01299ACN第8页 c 2009 Microchip Technology Inc AN1299 死区时间 此外,在互补模式屮,还会出现死区时间,而这将进 步缩小这些时间窗口。如果高侧输出和死区时间出现在 同一PWM周期,我们最终得到的情形类似于图18 图 18: 受死区时间影响的采样时间窗口 PWM1H PWM1L PWM2H PWM2L PWM3H PWM3L TO 死区时间也影响着完成单分流电流测量的时间窗口。测 图19 使用单分流电阻器测量电流所使 量流经单分流电阻电流的最小时间窗口取决于下列参 用的硬件 ·PWM频率: AVDD 这是因为,PWM频率越高,所有这些时间窗口的 值就越小。 检测 系统所需的死区时间: 如前图所示,死区时间直接影响测量窗口 硬件: 差动放大器压摆率、输出滤波器延时以及 MOSFET 开关噪声同样也影响着这个测量窗口。 A AVDD/2 硬件 有效测量窗口将进一步缩短,起始丁放大器输出稳定之 为了说明硬件是如何影响单分流测量的,让我们更仔细 后,这就是说要扣除 MOSFET开关噪声、死区时间、 地看一下最后一个PWM周期的前半周(图18),看看 运放的压摆率和输出RC滤波器的稳定时间。这些影响 实际单分流调理电路(如图19所示)的输出是什么样 如图20所示。 子 O 2009 Microchip Technology Inc DS01299ACN第9贝 AN1299 图20: 硬件对采样时间窗口的影响 T3 AVDD i T2 TO AVDD/2 SS 放大放大器的暂态响应(如图21所示),绿色方块表 图22: 使用单分流电阻重构三相电流 明在T1采样没有问题。然而,H于T2不够宽,在T2 期间不能对电流进行采样。灰色的暂态响应表示采样时 的临界svM矢量区域 间T2,如果它足够宽的话 图21:硬件对采样时间窗口的影响,放大图 VI V∠ 通常,当调制如图22所示的六边形阴影区域时,三相 电流的单分流重构是不可能的。 明影区域表示的是低调制指数区以及从区问到区问变迁 时的中到高调制指数区。 至于SⅥM的更多细节,请参阅下列应用笔记: ·AN908《使用dsPC30F实现交流感应电机的矢量 控制 AN955 VF Control of 3-Phase induction motor Using Space Vector Modulation ·AN1017《使用dsP|C30FDSC实现PMSM电机 的正弦驱动》 AN1078《PMsM电机的无传感器磁场定向控制》 如果不对SⅥM模式进行任何修改就进行电流重构,即 忽略在一些周期电流不能被重构这一事实,三相电流测 量结果如图23所示。SⅥM电压如图24所示。 DS01299A_CN第10页 c 2009 Microchip Technology Inc
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