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28-nm UTBB FD-SOI与22-nm Tri-Gate FinFET的综述：设计指南-第二部分
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文件大小: 2mb
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上传时间: 2020-06-05
详细说明：这是一个由两部分组成的论文的第二部分，该论文探讨了28纳米UTBB FD-SOI CMOS和22纳米Tri-Gate FinFET技术，作为大体积晶体管的更好替代方案，尤其是当晶体管的结构将要完全耗尽且其尺寸缩小时正在变得更小，28纳米及以上。 首先讨论这些替代方案的可靠性测试。 然后，在两个替代晶体管之间进行比较，比较它们的物理特性，电气特性以及它们在不同应用中的偏好。
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