文件名称:
基础电子中的安森美半导体实现高通QC3.0的完整方案
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文件大小: 68kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-10-15
详细说明：如今，智能手机、平板电脑等便携式设备随着用户的所需而不断增大屏幕和增多功能，耗电量明显增加，如何延长电池续航时间成为工程师需要解决的重要问题。同时，用户需要快速充电，使电源适配器所需的功率也增加，高通快速充电技术是应此需求而生。
高通快速充电技术概览
采用传统的5 V输入电压充电，由于输出大电流和线性阻抗产生的压降限制电池充电IC输入对输出电压余量，且产生更多热量和能效损失导致手机系统显着发热，而减小输出电流则需要更长的充电时间。高通快速充电技术突破传统5 V充电的限制，减少线路损耗，为电池充电IC提供充足的余量，改善热性能，实现更高转换能效，大大缩短充电时间。例如，若电缆
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