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电源技术中的一种低电压低静态电流LDO的电路设计（二）
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上传时间: 2020-10-20
详细说明：相关资料：
一种低电压低静态电流LDO的电路设计（一）
2 电路设计与实现
本文所提的低电压、低静态电流的精简结构的LDO如图2所示。LDO的输出级是一个A类共源级电路，包括PMOS功率管M1,三极管Q1、Q2,电阻R1,R2,R3,Resr和输出负载补偿电容C1.功率管M1有非常大的宽长比来驱动比较大的负载电流。因此M1的沟长选取最小的值，达到尽可能小的寄身电容和尺寸面积。为了获取好的暂态输出特性以及环路稳定，输出补偿电容取5 μF.带隙基准电路包括三极管Q1,Q2,Q3和电阻R1,R2,R3.选取Q2的射级面积为Q1和Q3的射级面积8倍，这是Q2面积和R2阻值折中
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