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电源技术中的安森美半导体MOSFET封装进步提供超前于芯片组路线图的移动功能
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上传时间: 2020-10-20
详细说明：导读：目前，面临为需求若渴的移动设备市场提供新功能压力的设计人员正在充分利用全新亚芯片级封装（sub-CSP）技术的优势，使用标准IC来构建领先于芯片组路线图的新设计。
安森美半导体的 NTNS3193NZ使用最新XLLGA3 3导线亚芯片级封装（见图3），尺寸仅为0.62 x 0.62 x 0.4 mm,是业界极其微型化的分立小信号MOSFET,总占位面积仅为0.38mm2.N沟道 NTNS3193NZ 的典型导通电阻为0.65 Ω ±4.5 V闸极至源极电压，而 NTNS3A91PZ P沟道元件的典型导通电阻为典型值1.1Ω±4.5 V.它们是安森美半导体20 V小信号MOSF
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