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电源技术中的概述新一代场截止阳极短路IGBT
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上传时间: 2020-10-20
详细说明：随着功率电子和半导体技术的快速进步，各类电力电子应用都开始要求用专门、专业的半导体开关器件，以实现成本和性能的共赢。与传统的非穿通（NPT） IGBT相比，场截止（FS） IGBT进一步降低了饱和压降和开关损耗。此外，通过运用阳极短路（SA）技术在IGBT裸片上集成反向并联二极管这项相对较新的技术，使得FS IGBT非常适合软开关功率转换类应用。
场截止阳极短路沟道IGBT与NPT IGBT的对比
虽然NPT（非穿通）IGBT通过减少关断过渡期间少数载流子注入量并提高复合率而提高了开关速度，但由于VCE（sat）较高而不适合某些大功率应用，因为其n-衬底必须轻度掺杂，结果在关断状态
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