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三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析
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上传时间: 2020-12-07
详细说明:1 前 言 电 力 电 子 变 换 技 术 的 发 展 , 使 得 各 种 各 样 的 电 力 电 子 器 件 得 到 了 迅 速 的 发 展 。 20世 纪 80年 代 , 为 了 给 高 电 压 应 用 环 境 提 供 一 种 高 输 入 阻 抗 的 器 件 , 有 人 提 出 了 绝 缘 门 极 双 极 型 晶 体 管 ( IGBT) [1>。 在 IGBT中 , 用 一 个 MOS门 极 区 来 控 制 宽 基 区 的 高 电 压 双 极 型 晶 体 管 的 电 流 传 输 , 这 就 产 生 了 一 种 具 有 功 率 MOSFET的 高 输 入 阻 抗 与 双 极 型 器 件 优
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