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具有高电流能力的单片4H-SiC结势垒肖特基二极管的制作
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上传时间: 2021-03-17
详细说明：具有高正向能力的单片4H-SiC结型势垒肖特基（JBS）二极管引起了人们的极大兴趣当前用于工业电源应用。 在本文中，我们报告了在掺杂至6×1015cm3的10μm4H-SiC外延层上制造的大面积单片4H-SiC JBS二极管。 有效面积为30 mm2的JBS二极管在5 V的正向电压下具有330A的正向电流，这对应于1100 A / cm2的电流密度。 通过使用最佳的多重浮动保护环（MFGR）终端，对于高达100A的反向电流，也实现了接近1.6kV的接近理想击穿电压，约为理论值的87.2％。 差分导通电阻（RSP-ON）的测量值为3.3m·cm2，导致FOM（VB2 / RSP-ON）值为0.78 GW / cm2，这非常接近于两者之间权衡的理论极限。 4H-SiC单极器件的导通电阻和击穿电压。
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