rc5 equ 2ah CCLK EQU P2.2 Csio1 equ p1.2 ;cpu card Crst1 equ p1.4 Cclk1 equ p1.5 cop_ok equ 000h ;constant status cbcc_err equ 0cah cop_err equ 0cdh cparity_err equ 0ceh ctime_out equ 0cfh sc_flag1 equ 2fh sc_flag2 equ 2eh timer1_h equ 2dh timer1_l

在本文中，我们演示了一种具有嵌入铝（2）O（3）高k电介质中的铝纳米晶体（Al-NCs）的电荷捕获存储器。 与金属/ Al（2）O（3）/ SiO（2）/ Si结构相比，该器件具有更大的存储窗口（+/- 12 V时为6.7V），更快的编程/擦除速度和良好的耐久性。 特别是，无论是在室温下还是在高温下（最高150摄氏度），数据保存都得到了极大的改善。 结果表明，具有在Al（2）O（3）膜中嵌入Al-NC的设备具有强大的潜力，可用于未来的高性能非易失性存储器应用。

这项工作表明，通过将三种方法与不同机制结合起来，可以增强嵌入SiO2（或Si-nc：SiO2）的Si纳米晶体的光致发光（PL）强度用于开发Si光源的材料可以实现非常高的PL强度。 30层样品通过交替将SiO和SiO2蒸发到Si（1 0 0）衬底上来制备Si-nc：SiO2 / SiO2 然后在1100 8C下进行热退火。 这种多层样品具有相当高的PL效率格林汉姆（Greenham）方法测得的结果是14％，是同一层单层方法的44倍过量的硅含量。 基于该多层样品，对CeF3掺杂和氢进行处理随后进行钝

采用球型量子点模型, 应用有效质量近似理论, 研究了 (nc-Si/SiO2)/ SiO2多层量子点结构的激子能级和波函数。结果表明, 有限深势阱模型的引入更符合实际更加准确。无论在无限深或有限深势阱下, 激子质心运动部分基态能量随量子点半径的减小而急剧增大。对于相同的量子点半径a, 无限深势阱下的质心部分能量总比有限深势阱高, 且二者的差距随a的减小而增大。