采用连续过滤快速横向生长技术, 有效增大了磷酸二氢钾(KDP)晶体的Z向长度, 提高了单位晶体II类元件的切片率。使用不同剂量的γ射线辐照II类晶体坯片后, 测试其光学性能与抗激光损伤阈值。研究结果显示, 不同剂量的γ射线辐照不会改变晶格内部的振动模式, 但会降低912 cm-1处的晶格振动强度; γ射线辐照诱导缺陷的种类不变, 但随着辐照剂量的增大, 缺陷浓度增大; 晶体坯片的损伤阈值随着辐照剂量的增大而减小。