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  1. Ⅲ-Ⅴ族半导体光激射器

  2. 发展得最完整的Ⅲ-Ⅴ族半导体光激射器为GaAs p-n結二极管，其运转波长，于室温时为9000埃，77 °K时为8400埃，于4.2时能连续运转。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：542720
    • 提供者：weixin_38683488

  1. 快速电子激发GaSe单晶的受激发射

  2. 为了阐明有可能制成快速电子束激发的光激射器，在AIII-BVI族半导体中选择了GaSe单晶，激发时GaSe单晶的发光尙未作过研究。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38752074