用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。氮化镓显而易见的技术优势（包括能源效率提高、带宽更宽、功率密度更大、体积更小）使之成为LDMOS的天然继承者服务于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窝频段。