随着时间的推移，半导体材料的掺杂度以及对内部裸片产生的物理应力都会发生变化，这会导致产品的参数值发生偏移。这些偏移可在新产品质量过程中，通过测量生命周期测试过程中（在高温炉中执行的加速老化过程）的参数偏移进行量化。 　　125C 下 1000hrs 或 150C 下 300hrs 的典型生命周期测试持续时间可在室温下确保至少 10 年的（不计算静态自身发热条件）。持续时间通过 Arrhenius 公式计算，这是一个简单而非常的计算公式，用于描述给定过程的反应速度常数对温度的依赖性： 　　过程