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  1. 一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计

  2. 这里设计了一种具有低温漂低功耗且不需要trim的基准电压源,利用低压共源共栅电流镜来减小输出电压对电源电压的依赖。测试结果表示：电路在2 V电源电压下就可以正常工作,输出基准电压为1．326 65 V;在-40～+85℃之间的温度系数为2．563 ppm／0C;电路在3．3 V电源电压下,功耗仅为2．81 μW,可以广泛应用在移动电子设备中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-05
    • 文件大小：88064
    • 提供者：weixin_38663036

  1. 基于一阶温度补偿技术的CMOS电压源电路

  2. 为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，本文提出了一种在0.25mN阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5.283 1mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。 　　近年来，集成电路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：197632
    • 提供者：weixin_38750999

  1. 一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究

  2. 为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0．25μm N阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3 V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1 mV，室温时电路的功耗为5．283 1 mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：226304
    • 提供者：weixin_38628150

  1. 一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计

  2. 设计一种以共源共栅电流镜为负载的低温漂高电源抑制比CMOS带隙基准电压源，利用新型核心电路和NMOS为输入管的套筒式共源共栅运算放大器使得带隙基准的输出温度系数远小于传统带隙基准的温度系数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：389120
    • 提供者：weixin_38696922

  1. 电源技术中的一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计

  2. 0 引 言 　　便携式电子产品在市场上占有越来越大的份额，对低电压、低功耗的基准电压源的需求量大大增加，也导致带隙基准的设计要求有了较大的提高。带隙基准广泛应用于数／模转换、模／数转换、存储器以及开关电源等数模混合电路中。基准源的稳定性对整个系统的内部电源的产生，输出电压的调整等都具有直接且至关重要的影响。基准电压必须能够克服制造工艺的偏差，系统内部电源电压在工作范围内的变化以及外界温度的影响。 　　由文献可知传统的一阶补偿通常可以得到10 ppm／℃左右的温度系数，而新发展的比较成熟的补偿

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：244736
    • 提供者：weixin_38733355

  1.  一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

  2. 介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：807936
    • 提供者：weixin_38677255

  1.  低功耗低温漂高PSR带隙基准电压源的设计

  2. 在专用医学微弱信号放大电路中，需要非常精准的电压源，为此，提出了一种新型的带隙基准电压源，采用低温补偿和高温补偿相结合的温度补偿方式，输出带隙基准电压为1.109 V，在-40~125 ℃范围内的温度系数为0.445~0.604 ppm/℃。同时采用了预稳压器来提高电路的PSR（电源抑制），使得PSR在10 Hz时为-127.5 dB，在100 kHz时达到-63 dB。文中设计的电路静态电流只有10 μA，消耗的功耗在36 μW左右。该带隙基准电路还有不随工艺变化的特点，工艺差别使输出电压最大

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38713061

  1. 基于一阶温度补偿技术的CMOS电压源电路

  2. 为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，本文提出了一种在0.25mN阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5.283 1mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。 　　近年来，集成电路的快

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：245760
    • 提供者：weixin_38586428