研究了一种基于深刻蚀的硅基周期波导一维光子晶体微腔，采用时域有限差分(FDTD)方法对设计的微腔结构进行了模拟分析；讨论了深刻蚀对微腔品质因数的影响，计算表明采用深刻蚀可有效地保持高Q 值并能保证微腔的机械强度。采用电子束光刻(EBL)结合感应耦合等离子体(ICP)刻蚀制作了绝缘硅(SOI)的周期波导微腔，使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对器件形貌进行表征，观察到深刻蚀的衬底二氧化硅高度约为80 nm。通过波导光栅耦合光纤输入宽带光源信号对微腔器件进行光学表征，传输光谱测试表
