离轴照明(OAI)作为一种重要的分辨力增强技术(RET)，不仅可以提高光刻分辨力，而且对焦深(DOF)也有一定程度地改善。针对特定的掩模图形，采用何种离轴照明模式能最大程度地改善光刻成像性能是主要研究的内容。通过优化设计的方法来获得最佳照明模式，采用的优化算法为最速下降法，采用的评价函数为光刻工艺窗口。工艺窗口包含三个方面的信息：成像精确度、曝光度、焦深。通过空间像性能对这三个方面分别做了描述，并将这三个函数加权得到综合评价函数，这种描述方法避免了复杂的光刻胶模型，评价函数值能快速准确地被求解。

提出一种基于二次规划的光刻机光源优化方法。采用空间像与目标像的图形误差为目标函数，根据空间像强度与不同位置的点光源之间的线性关系，将光源优化转换成二次规划问题。将掩模图形区域分成限制区域和比较区域，对限制区域应用约束条件，对比较区域采用目标函数优化。采用一维孤立空图形和二维接触孔阵列图形对该方法进行验证，分析光刻胶阈值和离焦量对优化结果的影响。仿真表明，提出的光源优化方法获得了光源的全局最优解，提高了光刻成像质量，增大了工艺窗口。