进口芯片替代芯片汇总-MS1112.pdf3瑞盟科技 MS1112 极限参数 参数 符号 参数范围 供电电压 VDD 0 6 V 输入电流 ⅠIN 100mA,瞬间电流 mA 输入电流 LIN l0mA,持续电流 匚模拟输入(A到(ND VIN 0.3-VDD+0.3 SDA,SCL电压到地 V 0.5~6 最大结温 C 工作湿度 40~125 存储温度 Tst 60~150 C 烨接温度 T 300 电气参数 测试条件:-40C到85C,VDD-5V,除非另有说明 参 数 测试条件 最小值 典

设计了一个带电源电压补偿和温度补偿的低功耗环形振荡器电路，环形振荡器采用受限于PTAT电流的反相器和普通CMOS反相器级联结构。由于电源电压和温度对这两种反相器传播延时的影响是相反的，利用这种相反的特性使得振荡器输出频率在电源电压和温度特性上得到补偿。

设计了一个带电源电压补偿和温度补偿的低功耗环形振荡器电路，环形振荡器采用受限于PTAT电流的反相器和普通CMOS反相器级联结构。由于电源电压和温度对这两种反相器传播延时的影响是相反的，利用这种相反的特性使得振荡器输出频率在电源电压和温度特性上得到补偿。该电路采用0.18 m CMOS工艺，测试结果显示在5 V电源电压以及27 ℃温度条件下，输出频率为263 kHz，平均电流消耗为2.5 A。在3.5 V～5.5 V电源电压和-40 ℃～85 ℃的温度变化范围内，输出频率偏差在-2.3%~6.5%