因只读存储器的基本存储单元只进行一次编程，编程后的数据能长时间保存，且在编程时需要流过mA级以上的电流，所以只读存储器编程时通常采用外加编程高压，内部的电荷泵。在设计此类电荷泵时，击穿电压和体效应的影响成为严重的问题。我们设计了一款电荷泵用以在存储器中传递外部编程高压。这种电荷泵利用高压NMOS器件提高了耐压特性并保证了正常工作，且增加了衬底偏置以缩短电荷泵的稳定时间。

设计了一款应用于亚微米工艺的传输只读存储器的编程高压的单阈值开关电荷泵。随着亚微米和深亚微米工艺的应用，N+／PWLL结反向击穿电压和栅氧击穿电压都明显降低，用于只读存储器传送编程电压的两阈值开关电荷泵应用存在着极大的风险。单阈值开关电荷泵能实现内部高压结点只高于编程一个阈值电压，使开关电荷泵在传送高压时能安全工作。电路在TSMC 0．35μm工艺得到仿真验证。