针对LTE应用的射频功率放大器，提出了一种结构简单的改善功率放大器性能的方法，并应用该方法设计了一个基于InGaP/GaAs HBT工艺的两级F类功率放大器。该功率放大器采用了三阶交调失真消除技术、级间谐波抑制网络和带温度补偿特性的有源偏置电路以达到高线性度。此外，输出采用F类功率放大器谐波理论以获得高效率。该功放在工作电压为3.4 V，频率2.35 GHz处，分别使用连续波信号和10 MHz LTE调制信号输入测得：增益为27.5 dB，1 dB压缩点为30 dBm，最高效率点达到46%；平均

针对LTE-A移动终端应用，采用双功率模式架构设计了一款宽带功率放大器，利用功放工作模式的切换，改善了功放回退区域的效率。该功放还采用了InGaP/GaAs HBT和AlGaAs/InGaAs pHEMT的一体化工艺，将功放电路与控制电路单片集成，实现模式控制的片上切换，能有效提高功放的集成度。该功放在工作电压为3.4 V，频率2.3～2.69 GHz范围内，使用10 MHz LTE调制信号输入，在输出功率为10 dBm时，测得LPM相对于HPM效率提高至少6%，有效提高了功放功率回退时的效率，