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搜索资源 - 一种用于高速高ADC的电压基准源设计
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单片机应用技术选编(7)
内容简介 《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇,其中全文编入的有113篇,摘要编入的397篇。全书共分八章,即单片机综合 应用技术;智能仪表与测试技术;网络、通信与数据传输;可靠性与抗干扰技术;控制系统 与功率接口技术;电源技术;实用设计;文章摘要。 本书具有重要实用价值,书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动,提高单片机应用技术水平,是从事单片机应用 开发技
所属分类:
硬件开发
发布日期:2010-05-19
文件大小:13631488
提供者:
zgraeae
最畅销的上海博通蓝牙 bLE芯片 BK3432介绍-DS-MS1793S_v1.2.pdf
最畅销的上海博通蓝牙 bLE芯片 BK3432介绍-DS-MS1793S_v1.2.pdfMacro Giga Electronics Ltd. Co 6.4RF接收机特性 6.5绝对最大额定值. 88 6.6绝对最大额定值工作条件 19 6.6.1通用工作条件 19 6.6.2上电和掉电时的工作条件 20 6.6.3内嵌复位和电源控制模块特性. 20 6.6.4供电电流特性. 21 6.6.5外部时钟源特性(NA) ·····:···: 23 6.6.6内部时钟源特性. 23 6.6.7存储器
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-03
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38743506
一种用于高速高精度ADC的电压基准源设计
本文对电压基准源引起的ADC系统的DNL误差进行了建模分析,提出了一种采用二阶曲率补偿技术的电压基准源电路,该电路运用低噪声两级运放进行箝位,同时在采用共源共栅电流镜技术的基础上加入了PSR提高电路。通过在基于TSMC 1.8 V 0.18 μm标准CMOS工艺条件下的仿真结果表明,该电路的温度系数为2.13 ppm/℃,电源抑制比在低频条件下可达到-101 dB,可以满足12位100 Msps ADC的系统要求。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-26
文件大小:306176
提供者:
weixin_38723559
一种带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC的运放。设计基于SMIC 0.25 μm CMOS工艺,在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结果表明,在2.5 V单电源电压下驱动2 pF负载时,运放的直流增益可达到124 dB,单位增益带宽720 MHz,转换速率高达885 V
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-31
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38665822
一种用于高速高ADC的电压基准源设计
0 引言 随着集成电路规模不断扩大,尤其是芯片系统集成技术的提出,对模拟集成电路基本模块(如A/D、D/A转换器、滤波器以及锁相环等电路)提出了更高的精度和速度要求,这也就意味着系统对其中的基准源模块提出了更高的要求。 用于高速高精度ADC的片内电压基准源不仅要满足ADC精度和采样速率的要求,并应具有较低的温度系数和较高的电源抑制比,此外,随着低功耗和便携的要求,ADC也在朝着低压方向发展,相应的基准源也要满足低电源电压的要求。 本文分析了基准源对流水线ADC精度的影响,并建
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:366592
提供者:
weixin_38558054