采用标准0．18μmCMOS工艺设计制造了一种带EBG(电磁带隙)结构的小型化片上天线。该片上天线由一根长1．6nm的偶极子天线以及一对一维的尺寸为240μm×340μmEBG结构构成。分别对该EBG结构以及片上天线的S11及S21进行了仿真和测试，结果表明该片上天线工作在20CHz，具有小型化的性能，同时具备三次谐波抑制的功能。