设计了一种应用于EEPROM的低电源电压的片内升压电路。基于电压倍乘电路，获得两倍于电源电压的驱动电压，用来驱动高压电荷泵电路得到EEPROM擦写用的15 V高压，实现EEPROM在1.3 V电压下稳定的工作。同时，基于负温度特性的电压分压电路实现电荷泵输出高压的负温度特性，提升了存储器在整个工作温度范围（-40 ℃~85 ℃）内的可靠性。设计的高压产生电路在0.13 μm Embedded EEPROM CMOS工艺实现，工作电压为1.3 V~1.75 V，面积大小为600 μm×80 μm。