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搜索资源列表

  1. Sate210-F开发板硬件用户手册V1.2.1.PDF

  2. Sate210-F开发板硬件资源 ● 三星S5PV210基于Cortex-A8内核处理器，1GHz主频 ● 板载64bit双通道512MB DDR2内存，256MB SLC FLASH+4GB iNAND/eMMC闪存 ● 7寸LCD显示屏与7寸电容触摸屏，支持多点触摸 ● 1路VGA接口，真正支持800*600、1024*768、1280*720、1280*1024、1440*900、1920*1080多种分辨率，完全兼容市场上主流显示器真正达到电脑显卡的兼容性与显示效果（独家技术） ● 5

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2014-01-12
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：gooogleman

  1. Sate210-F开发板用户刷机手册V1.0.0.pdf

  2. 烧写软件准备 烧写Sate210-F镜像，需要到如下工具软件：  启动卡制作软件moviNAND_Fusing_Tool_v2.0.exe  ADB驱动samsung USB Driver.exe  Fastboot软件驱动fastboot.exe，AdbWinApi.dll，AdbWinUsbApi.dll  Securecrt串口工具（使用方法请自行网络搜索） 双击samsung USB Driver.exe安装ADB驱动，按照默认设置安装即可，当烧写的时候电脑一般会自动查找到安装

  3. 所属分类：Android

    • 发布日期：2014-01-22
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：gooogleman

  1. 三星S5P4418核心板中文手册 资料下载

  2. 三星S5P4418核心板中文手册 资料下载 CPU：S5P4418 ARM Cortex-A9； 主频：四核1.4GHz 内存：标配1GB，可定制2GB Flash：4GB/8GB/16GB emmc可选，标配

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2015-11-30
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：armpty

  1. 三星S5P4418开发板中文手册 资料下载

  2. 三星S5P4418开发板中文手册 资料下载 CPU：S5P4418 ARM Cortex-A9； 主频：四核1.4GHz 内存：标配1GB，可定制2GB Flash：4GB/8GB/16GB emmc可选，标配

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2015-11-30
    • 文件大小：10485760
    • 提供者：armpty

  1. 4bits 纠错ECC BCH算法源代码

  2. 4bits 纠错ECC BCH算法源代码 以及很难得的三星4GB MLC nand flash 芯片资料

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2009-03-27
    • 文件大小：965632
    • 提供者：tianhei1692

  1. 三星4GB MLC nand flash 芯片资料

  2. 三星4GB MLC nand flash 芯片资料,现在很少有了，需要的就下吧

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-03-27
    • 文件大小：947200
    • 提供者：liangkaiyang

  1. K4B4G1646Q-HYK0

  2. 三星DDR存储芯片文档，K4B4G1646E-BYK0，256 X16 4Gb DDR3 DRAM

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2018-06-16
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：gjianw217

  1. 4bits 纠错ECC BCH算法源代码

  2. 4bits 纠错ECC BCH算法源代码 以及很难得的三星4GB MLC nand flash 芯片资料

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-08
    • 文件大小：964608
    • 提供者：kandy_000

  1. 电子维修中的号称金属工艺最高水准 三星工程师拆解Galaxy C5

  2. 三星近日在国内首发了Galaxy C5/C7新机，以金属机身、指纹识别、4GB内存、三星智付作为卖点吸引用户。 　　关于其做工，微博认证为三星硬件工程师的戈蓝V 称，它采用了三星乃至业界最高水准的金属加工工艺，为了自证其说，他奉上了拆解，并给出评价：金玉其外。 正面来一张 看背面，没错，就是C5。 　　工欲善其事，必先利其器。先准备好吸盘，镊子和螺丝刀（这家伙怎么是弯的）。磨刀霍霍嚯，第一步，将C5放入烤箱75度，15分

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：461824
    • 提供者：weixin_38720009

  1. 三星完成20纳米Mobile DRAM量产　2015年迈向10奈米级时代

  2. 三星电子（Samsung Electronics）在稍早正式量产20奈米Mobile DRAM,将有望帮助三星提高生产力以及成本竞争力。尤其在竞争对手们仍停留在20奈米中段制程的情况下，随着三星在20奈米时代下画上句点，分析认为，三星将有望可以在2015年前进10奈米时代，拉开与对手的技术差距。 　　韩媒edaily指出，三星继稍早3月投产的PC用20奈米4Gb DDR3 DRAM,此次将20奈米制程扩大到Mobile DRAM.采用20奈米制程的产品可以提升30%以上的生产力，而电力消耗量也

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38680957

  1. 电子维修中的三星S6 Edge/Edge+对比拆解

  2. 三星双侧曲面屏手机GalaxyS6Edge在今年赚走了不少眼球，独特的设计、强大的性能令人印象深刻。 　　但是仅仅过了5个月，三星紧接着发布了屏幕更大的GalaxyS6Edge+，配备5.7寸2K屏，搭载Exynos7420八核2.1GHz处理器，拥有4GB内存和32/64GB机身存储空间，提供一颗500/1600万像素摄像头，电池容量3000mAh，运行Android5.1系统，国行售价5888元（32GB）。 　　虽然看起来只是屏幕上的升级，但其实内部结

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：450560
    • 提供者：weixin_38514805

  1. 电子维修中的Galaxy Note5拆解，与S系列差距日渐模糊

  2. 三星Galaxy Note系列跨界手机从2011年9月上市以来已经走过了5代产品，今年纽约三星秋季发布会上Galaxy Note5正式亮相。新旗舰随之而来的亮点也无非还是大屏，双面玻璃，S-Pen。除了这些没什么特别新意的印象外，这款新旗舰在内部结构有何变化，又有哪些升级呢?接下来看看eWiseTech的工程师的一步步剖析。 　　首先快速了解一下Galaxy Note5的基本参数：5.7英寸2K(2560x1440)Super AMOLED屏幕，搭载64位真八核三星Exynos 7420处理器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：719872
    • 提供者：weixin_38741996

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的三星为3G手机开发出4GB嵌入式多芯片系统

  2. 三星电子已成功地将4GB存储空间塞进了手机芯片组，手机上的外部存储卡插槽可能从此成为历史。  　　据IDG新闻社报道，三星周三说，这个嵌入式多芯片系统被叫做moviMCP，它在一个单元上集成了多个存储功能，消除了对外部扩展槽的需求，因而可以为高度压缩的手机节省更多空间。这个封装包含了16Gb NAND闪存和一个控制器，一个为处理器提供支持的1Gb DRAM芯片和一个支持手机整体运行的2Gb NAND芯片。  　　为不同类型的NAND闪存设计一个统一的界面具有一定的难度。为了回避这个困难，三星使用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38688371

  1. 韩国三星电子开发出512MB DDR3显示内存

  2. 联合通讯社汉城12月9日电 据三星电子9日称，在世界上率先开发出每秒运行速度为1.6Gbps的512MB DDR3显示内存。  　　此前的最大容量和最高速度分别是256Mb及1.4Gbps/秒。 　　三星电子方面介绍说，DDR3显示内存是驱动电压为1.8V的低电压产品，现有的DDR显示内存每个信号可以处理两个数据，但是该产品可以一次处理4个数据。 　　另外，分为输入和输出的两个滤波端口也能把数据处理速度提高至2倍，每秒可处理6.4Gb的数据，相当于每秒可以传送30年报纸的数据。 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38749268

  1. 三星65nm 4Gb NAND闪存剖析

  2. 在NAND闪存和DRAM这两个最重要的半导体存储器件市场，三星已稳坐头把交椅，分别占有52.9%和32.1%的份额，相应地是第二名的两倍多和接近两倍。即便如此，该公司也并未被外界看到有丝毫懈怠。三星继续积极采用更先进的工艺来生产其存储器件，这也是该公司得以获得当前强势市场地位的一个法宝。 三星成功的秘诀在于采取积极进取的战略，以尽可能快的速度将最先进的工艺技术用于产品制造。通过快速采用先进工艺技术，三星能以更小的裸片尺寸制造存储器件。因此，每个晶圆能切割出更多的裸片，从而降低了制造成本，其终

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：101376
    • 提供者：weixin_38695293

  1. ASROCK_Z490M-ITX-AC-源码

  2. 华擎Z490M ITX / AC Hackintosh 具有OpenCore引导加载程序的ASROCK Z490M ITX / AC的EFI 电脑规格： 成分 布兰克 中央处理器 英特尔i5 10600K（6C-12T 12MB CML） iGPU 英特尔:registered:UHD图形 显卡 锐宝NITRO + RX570 4GB GDDR5 Lan 2.5英镑 瑞昱8125 Lan 1.0英镑 英特尔I219 V11 声音的 瑞昱ALC1200 内存 海盗船32GB DDR

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-10
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_42173218

  1. 三星完成20纳米Mobile DRAM量产　2015年迈向10奈米级时代

  2. 三星电子（Samsung Electronics）在稍早正式量产20奈米Mobile DRAM,将有望帮助三星提高生产力以及成本竞争力。尤其在竞争对手们仍停留在20奈米中段制程的情况下，随着三星在20奈米时代下画上句点，分析认为，三星将有望可以在2015年前进10奈米时代，拉开与对手的技术差距。 　　韩媒edaily指出，三星继稍早3月投产的PC用20奈米4Gb DDR3 DRAM,此次将20奈米制程扩大到Mobile DRAM.采用20奈米制程的产品可以提升30%以上的生产力，而电力消耗量也

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38653602

  1. 三星S6 Edge/Edge+对比拆解

  2. 三星双侧曲面屏手机GalaxyS6Edge在今年赚走了不少眼球，独特的设计、强大的性能令人印象深刻。 　　但是仅仅过了5个月，三星紧接着发布了屏幕更大的GalaxyS6Edge+，配备5.7寸2K屏，搭载Exynos7420八核2.1GHz处理器，拥有4GB内存和32/64GB机身存储空间，提供一颗500/1600万像素摄像头，电池容量3000mAh，运行Android5.1系统，国行售价5888元（32GB）。 　　虽然看起来只是屏幕上的升级，但其实内部结

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：558080
    • 提供者：weixin_38499349

  1. 号称金属工艺水准 三星工程师拆解Galaxy C5

  2. 三星近日在国内首发了Galaxy C5/C7新机，以金属机身、指纹识别、4GB内存、三星智付作为卖点吸引用户。 　　关于其做工，微博为三星硬件工程师的戈蓝V 称，它采用了三星乃至业界水准的金属加工工艺，为了自证其说，他奉上了拆解，并给出评价：金玉其外。 正面来一张 看背面，没错，就是C5。 　　工欲善其事，必先利其器。先准备好吸盘，镊子和螺丝刀（这家伙怎么是弯的）。磨刀霍霍嚯，步，将C5放入烤箱75度，15分钟后拿出。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：453632
    • 提供者：weixin_38589314

  1. 4bits 纠错ECC BCH算法源代码

  2. 4bits 纠错ECC BCH算法源代码 以及很难得的三星4GB MLC nand flash 芯片资料 4bits 纠错ECC BCH算法源代码 以及很难得的三星4GB MLC nand flash 芯片资料

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-12
    • 文件大小：964608
    • 提供者：bqfcumt
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