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搜索资源列表

  1. 电子技术--半导体器件.ppt

  2. 了解半导体的特性和导电方式，理解PN结的单向导电特性 了解半导体二极管、三极管的结构 理解二极管的工作原理、伏安特性和主要参数 理解双极型三极管的放大作用、输入和输出特性曲线及主要参数 了解MOS场效应管的伏安特性、主要参数及其与双极型三极管的性能比较

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-06-23
    • 文件大小：381952
    • 提供者：shwjylyp

  1. 现代半导体器件物理

  2. 《半导体器件物理》由浅入深、系统地介绍了常用半导体器件的工作原理和工作特性。 　　为便于读者自学和参考，《半导体器件物理》首先介绍了学习半导体器件必需的半导体材料和半导体物理的基本知识；然后重点论述了PN结、双极性三极管、MOS场效应管和结型场效应管的各项性能指标参数及其与半导体材料参数、工艺参数及器件几何结构参数的关系：最后简要讲述了常用的一些其他半导体器件(如功率MOSFET、IGBT和光电器件)的原理及应用。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-04-01
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：hh2513

  1. multisim12清华大学本科教育所用的例子

  2. 本人亲测，都可以用。自己也是学电子的，所以好的资料就分享出来，希望对你有用。 主要包括： 模拟部分： MD1 1-1 二极管加正向电压 1-2 二极管加反向电压 1-3 IV法测二极管伏安特性 1-4 用万用表检测二极管 1-5 例1.2.1电路 1-6 直流和交流电源同时作用于二极管 1-7 半波整流电路 1-8 全波整流电路 1-9 单向限幅电路 1-10 双向限幅电路 1-11 底部钳位电路 1-12 顶部钳位电路 1-13 振幅解调电路 1-14 振幅调制电路 1-15 稳压二极管稳压

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-03-29
    • 文件大小：39845888
    • 提供者：xmlizzy

  1. ewb multisim 仿真实例电路图全集

  2. 多年收集的ewb和multisim电子电路仿真实例文件，压缩后有50多兆。 文件列表 ├─仿真实验 │ 555.ms10 │ Circuit1.ms10 │ Circuit2.ms10 │ CLOCK.ms10 │ FileList.txt │ 实验2.ms10 │ 实验3-一阶有源低通滤电路.ms10 │ 实验3-减法运算电路.ms10 │ 实验3-反相加法运算电路.ms10 │ 实验3-反相比例运算电路.ms10 │ 实验3-反相积分运算电路.ms10 │ 实验3-微分运算电路.ms10

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-10-21
    • 文件大小：55574528
    • 提供者：freedom366

  1. 电子元器件综合知识大全

  2. 第一章 电子元器件 第一节、电阻器 1.1 电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻. 1.2 电阻器的英文缩写：R（Resistor） 及排阻RN 1.3 电阻器在电路符号： R 或 WWW 1.4 电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ）, 兆欧姆（MΩ） 1.5 电阻器的单位换算: 1兆欧=103千欧=106欧 1.6 电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。 表 1.7

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2018-07-24
    • 文件大小：673792
    • 提供者：chmkk

  1. StuList.cpp

  2. 学生表教学过程 一、逻辑函数的表示方法 1、 真值表 2、 卡诺图 3、 表达式 4、 逻辑图 5、 时序图 二、表示方法间的转换 1、 由真值表到逻辑图 2、 由逻辑图到真值表 课题二极管、三极管开关特性 课时安排2 重点各种电子开关的条件、逻辑门电路 难点门电路与逻辑运算的联系 教学目标使同学理解电子开关的条件及开关的特点 教学过程 一、理想开关的开关的开关特性 二、半导体二极管的开关特性 三、半导体三极管的开关特性 四、MOS 管的开关特

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：3072
    • 提供者：weixin_44716968

  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题，还讲解了关于面试的问题该如何解答，对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-10-12
    • 文件大小：664576
    • 提供者：fromnewword

  1. MOS管与三极管区别、作用、特性、参数、选用注意与事项.pdf

  2. MOS管与三极管区别、作用、特性、参数、选用注意与事项pdf,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38744207

  1. 立创EDA原理图库与PCB库创建规范.pdf-立创EDA原理图库与PCB库创建规范_2019-08-06.pdf

  2. 立创EDA原理图库与PCB库创建规范.pdf-立创EDA原理图库与PCB库创建规范_2019-08-06.pdf通用二极管 Diode 稳压(齐纳)二极管 ZD? Zener diode 发光二极管 LED? Light-Emitting diode 三极管 Q? 常用编号 整流桥 DB? Diode brige MOS管 用U?是为了和Q?区分开 芯片 常用编号 有源晶振 OSC? Oscillator 无源晶振 X? External Crystal oscillator 保险丝 Fusc

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 立创EDA原理图库与PCB库创建规范.pdf-立创EDA原理图库与PCB库创建规范_2019-08-12.pdf

  2. 立创EDA原理图库与PCB库创建规范.pdf-立创EDA原理图库与PCB库创建规范_2019-08-12.pdf通用二极管 Diode 稳压(齐纲)二极管 ZD? Zener diode 发光二极管 LED? Light-Emitting diode 三极管 Q? 常用编号 整流桥 DB? Diode brige MOS管 用U?是为了和Q?区分开 片 常用编号 有源晶振 Oscillator 无源晶振 X External crystal oscillator 保险丝 FusC 开关 Swit

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 立创EDA原理图库与PCB库创建规范.pdf-立创EDA原理图库与PCB库创建规范_2019-08-16.pdf

  2. 立创EDA原理图库与PCB库创建规范.pdf-立创EDA原理图库与PCB库创建规范_2019-08-16.pdf通用二极管 Diode 稳压(齐纳)二极管 ZD? Zener diode 发光二极管 LED? Light-Emitting diode 三极管 Q? 常用编号 整流桥 DB? Diode brige MOS管 用U?是为了和Q?区分开 芯片 常用编号 有源晶振 OSC? Oscillator 无源晶振 X? External Crystal oscillator 保险丝 Fusc

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 立创EDA原理图库与PCB库创建规范.pdf-立创EDA原理图库与PCB库创建规范_2019-08-21.pdf

  2. 立创EDA原理图库与PCB库创建规范.pdf-立创EDA原理图库与PCB库创建规范_2019-08-21.pdf通用二极管 Diode 稳压(齐纳)二极管 ZD? Zener diode 发光二极管 LED? Light-Emitting diode 三极管 Q? 常用编号 整流桥 DB? Diode brige MOS管 用U?是为了和Q?区分开 芯片 常用编号 有源晶振 OSC? Oscillator 无源晶振 X? External Crystal oscillator 保险丝 Fusc

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电，因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题，希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-08-18
    • 文件大小：628736
    • 提供者：maosheng007

  1. 三极管与MOS管开关原理比较.pdf

  2. 三极管与MOS管开关原理比较：分别讲解了三极管和MOS管的开关特性，对正确应用三极管和MOS管有一定的借鉴意义

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-06-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：hejiexue_zzuli

  1. MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？

  2. 1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 图1 左边是N沟道的MOS管，右边是P沟道的MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？**它的判断规则就是对于N沟道，由S极指向D极；对于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：389120
    • 提供者：weixin_38520275

  1. MOS管和IGBT管的定义与辨别

  2. MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍！ MOS管 MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。 IGBT管 IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管，是MOS管与晶体三极管的组合，MOS是作为输入管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：107520
    • 提供者：weixin_38614636

  1. 三极管与MOS管特性

  2. 三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极（emitter, E）、基极（base, B）和集电极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。npn三极管的操作原理和pnp三极管是一样的，只是偏压方向，电流方向均相反，电子和电洞的角色互易。pnp三极管是利用VEB控制由射极经基极,入射到集电极的电洞，而npn三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子三极管在数字电路中的用途其实就是开关，利用电信号

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-06-25
    • 文件大小：73728
    • 提供者：newman939

  1. 元器件应用中的半导体基本器件

  2. 内容提要 【了解】半导体的相关知识 【熟悉】二极管（即PN结）的单向导电性及主要参数 【了解】三极管的电流放大原理 【熟悉】三极管输出特性曲线的三个工作区及条件和特点、主要参数 【了解】MOS管的工作原理、相应的三个工作区以及与三极管的性能区别 一．网上导学 二．典型例题 三．本章小结 四．习题答案 网上导学： *了解半导体基础相关知识：1.半导体(导电性能介于┉) ；2.本征半导体(纯净,晶体)、共价键(共用电子对)；热激发：自由电子-空穴对、载流子、复合、浓度(微量,温度影响) 与掺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：111616
    • 提供者：weixin_38677806

  1. IGBT的工作特性与IGBT的检测

  2. IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：156672
    • 提供者：weixin_38597970

  1. MOS管和IGBT管如何识别？使选择、判断、使用不再疑惑！

  2. MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍！ 　　MOS管 　　MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。 　　MOS管和IGBT管如何识别？使选择、判断、使用不再疑惑！ 　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：163840
    • 提供者：weixin_38624746
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