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搜索资源列表

  1. U—Boot从NAND Flash启动的设计与实现

  2. U—Boot从NAND Flash启动的设计与实现

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2009-05-04
    • 文件大小：211968
    • 提供者：thing2000

  1. 嵌入式Linux系统的图像采集与显示

  2. 本文使用的系统平台硬件功能框图如图1所示，该平台采用Samsung公司的处理器S3C2410。该处理器内部集成了ARM公司ARM920T处理器核的32位微控制器，资源丰富，带独立的16KB的指令Cache和16KB数据Cache，LCD控制器、RAM控制器，NAND闪存控制器，3路UART、4路DMA、4路带PWM的Timer、并行I/O口、8路10位ADC、Touch Screen接口，I2C接口，I2S接口、2个USB接口控制器、2路SPI，主频最高可达203MHz。在处理器丰富资源的基础

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-01-12
    • 文件大小：332800
    • 提供者：swzhahaha

  1. ARM9 2410移植之Nand flash 驱动的编写与移植.pdf

  2. 1 Nand flash 工作原理 .......................................................................................................................... 2 1.1 Nand flash 芯片工作原理 ....................................................................................

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-02-02
    • 文件大小：89088
    • 提供者：cs_21cn

  1. NAND Flash驱动程序设计

  2. 当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块设计是不可或缺的重要方面。NOR和 NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR Flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常用于程序代码的存储。与NOR相比,NAND闪存的优点是容量大,但其速度较慢,因为它的I/O端口只有8或16个,要完成地址和数据的传输就必须让这些信号轮流传送。NAND型Flash具有极高的单元密度,容量可以比较大,价格相对便宜。

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-08-20
    • 文件大小：258048
    • 提供者：vivier001

  1. nor与nand flash介绍及区别

  2. nor与nand flash介绍及区别，一些介绍flash的文章

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-10-22
    • 文件大小：14336
    • 提供者：hhl5829

  1. NOR FLASH 与NAND FLASH对比

  2. NOR FLASH 与NAND FLASH对比

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-11-01
    • 文件大小：30720
    • 提供者：jinshaoguang

  1. NAND+Flash控制器的设计与验证

  2. NAND+Flash控制器的设计与验证,用于flash的读写操作。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-04-16
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：wwyy2010

  1. NAND Flash结构与驱动分析

  2. NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Sp

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2011-04-26
    • 文件大小：44032
    • 提供者：ouchengguo

  1. 半导体存储器与FLASH存储器

  2. 主要讲述了半导体存储器、FLASH存储器的基本知识，以及ROM RAM的区别，NOR FLASH、NAND FLASH的区别

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-04-27
    • 文件大小：38912
    • 提供者：kg1215

  1. NAND FLASH ECC校验原理与实现

  2. 介绍了NAND FLASH ECC校验原理，并有c例程

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-05-12
    • 文件大小：129024
    • 提供者：j1o1y

  1. NOR Flash 与NAND Flash 的区别

  2. 清晰的描述了NOR Flash与NAND Flash的区别. 如果对这两个有什么疑问的话,你也可以给我留言. 我感觉这个文档讲的很清楚了.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-05-17
    • 文件大小：53248
    • 提供者：zsinba

  1. 【详解】如何编写Linux下Nand Flash驱动 v1.7

  2. 1 正文之前 5 1.1 目的 5 1.2 目标读者和阅读此文的前提 5 1.3 说明 5 1.4 声明 5 2 编写驱动之前要了解的知识 6 2.1 一些相关的名词的解释 6 2.2 硬件特性 8 2.2.1 什么是Flash 8 2.2.2 什么是Nand Flash 8 2.2.3 SLC和MLC的实现机制 10 2.2.4 Nand Flash数据存储单元的整体架构 11 2.2.5 Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构 12 2.2.6 Flash名称的由来 13 2.2

  3. 所属分类：Android

    • 发布日期：2011-07-02
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：crifan

  1. 基于NAND Flash的嵌入式文件系统的研究与实现

  2. 基于NAND Flash的嵌入式文件系统的研究与实现

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-07-30
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：a251075923

  1. SDRAM与NAND与NOR的地址连线分析

  2. SDRAM与NAND与NOR的地址连线分析

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-09-21
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：csust_liuliang

  1. NAND FLASH ECC校验原理与实现

  2. NAND FLASH ECC校验原理与实现，详细易懂。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-12-19
    • 文件大小：218112
    • 提供者：cyh10226013

  1. 在tornado环境下对ARM9的串口，IIS，与nand flash的编程

  2. 这时一个在tornado环境下的裸机编程，对串口 iis nand flash 三个的操作，都有源代码。

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2012-03-16
    • 文件大小：96256
    • 提供者：cangencong

  1. NOR FLASH 与NAND FALSH 的区别

  2. NOR FLASH 与NAND FALSH 的区别 NOR 和NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术( non‐volatile computer storage)。 Intel 于1988 年首先开发出NOR flash 技术，彻底改变了原先由EPROM 和EEPROM 一统天下 的局面。紧接着，1989 年，东芝公司发表了NAND flash 结构，强调降低每比特的成本，更 高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多 的硬件工程师分不清NOR

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2015-11-19
    • 文件大小：276480
    • 提供者：kelele2008

  1. mini2440的nor flash与nand flash启动过程区别

  2. 一、调试经验；二、问答；三、ARM的nor flash与nand flash启动过程区别。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-25
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38751014

  1. 存储/缓存技术中的DRAM与NAND差别这么大，存储之争都争啥

  2. 什么是DRAM?　　DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)　　工作原理　　动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。　　   　　DRAM数据线　　3管动态RAM的基本存储电路如图所示。在这个电路中，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：160768
    • 提供者：weixin_38722317

  1. 通信与网络中的海力士推新款手持装置用DRAM

  2. 根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix ）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍，海力士并表示，将推出针对手机平台，结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装（MCP）产品。 　　海力士该款晶片不但速度快，连体积也号称是全球最小的手机用记忆体晶片，大小仅8mm × 10mm，容量为512Mb，资料传输频宽为每秒1.6 GB，运作时脉为200Mhz，较海力士现有的手机记忆体晶片产品快上1.5倍，可望提高海力士在手

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38595689
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