一种与高电压（HV）n沟道LDMOS兼容的新型低比导通电阻（R-on，R-sp）绝缘体上硅（SOI）p沟道横向双扩散金属氧化物半导体（pLDMOS）（ nLDMOS）。 pLDMOS内置在N型SOI层中，而埋入的P型层在导通状态下用作电流传导路径（BP SOI pLDMOS）。 可以获得与HV nLDMOS和形成在N-SOI层上的低压（LV）互补金属氧化物半导体（CMOS）电路的卓越兼容性。 在关闭状态下，内置在N-SOI层中的P埋层会引起多次耗尽和电场整形，从而导致增强的（减少的）表面场（RE