日本电气公司研制出可望用于将来超大容量光通信的半导体激光器件。这种激光器件在内部形成衍射光栅，采用分布反馈(DFB)方式和独特的双波道平面埋入式(DC-PBH)结构，并在器件一端涂敷氮化硅膜以获得低反射系数，因而能产生高效率的激光振荡。试验结果表明，其最大光输出功率达55毫瓦，为以前激光器件的五倍，激光器振荡效率(微分量子效率)最高达36%,被确认为世界上性能最好的半导体激光器。