中芯国际集成电路制造有限公司与北京中电华大电子设计有限责任公司（“华大电子”）共同宣布，华大电子推出中国第一颗55纳米智能卡芯片，该芯片采用中芯国际55纳米低功耗（LL）嵌入式闪存（eFlash）平台，具有尺寸小、功耗低、性能高的特点，目前已实现量产供货，其优良性能得到客户的广泛认可。     中芯国际的55纳米低功耗嵌入式闪存平台，可为智能卡芯片客户提供一个兼具高性能和低成本的解决方案。该平台具有完全的逻辑兼容性，所有1.2V逻辑库IP皆可用于此嵌入式平台；采用逻辑电压更低的1.2V核心

中芯国际集成电路制造有限公司与北京中电华大电子设计有限责任公司（“华大电子”）共同宣布，华大电子推出中国颗55纳米智能卡芯片，该芯片采用中芯国际55纳米低功耗（LL）嵌入式闪存（eFlash）平台，具有尺寸小、功耗低、性能高的特点，目前已实现量产供货，其优良性能得到客户的广泛认可。     中芯国际的55纳米低功耗嵌入式闪存平台，可为智能卡芯片客户提供一个兼具高性能和低成本的解决方案。该平台具有完全的逻辑兼容性，所有1.2V逻辑库IP皆可用于此嵌入式平台；采用逻辑电压更低的1.2V器件，可