种既能控制其导通又能控制其关断的全控型器件，如门极可关断晶闸 管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(P-MOSFET)、绝缘栅极双极型晶 体管(IGBT)等，这些全控型器件性能优良，由它们构成的脉宽调制直流调速系 统近年来在中小功率直流传动中得到了迅猛的发展，与老式的可控直流电源调

非常好的中小功率场效应管参数，对选用中小功率场效应管有很大的实用帮助和价值。

在过去的20多年，出现了一些新功率半导体开关器件和功率模块，在如功率MOS-FET，绝缘栅双极晶体管IGBT，碳化硅（SiC）器件等领域都有 了不同程度的新进展（以下未特别注明的MOSFET、IGBT或IGCT等，均是指用硅晶片制成的）。 　　1）功率MOSFET 　　1979年，功率MOSFET场效应晶体管问世。由于它的输入阻抗高、开关速度快和热稳定性好，可以完全代替功率晶体管GTR和中小电流的晶闸管 ，使电力电子电路如开关电源实现高频化成为可能。其电压电流定额已经达到了500V/240