不同工艺条件 对应的刻蚀速率、均匀性、选择比等刻蚀参数

摘 要：本文对化学材料二氧化硅的干法刻蚀工艺进行研究，运用反应离子刻蚀设备对二氧化硅进行了刻蚀实验，通过对不同工艺条件下二氧化硅的刻蚀速 率、均匀性等参数对比，最终得出了二氧化硅等同类光学材料最佳的干法刻蚀 工艺条件。

硅基二氧化硅阵列波导光栅是集成化波分复用光网络中的核心器件之一。对其制作工艺的研究对提高器件的性能具有重大意义。提出一种在波导上包层使用硼锗共掺高温退火的工艺方法，成功实现阵列波导间空隙的填充，并将阵列波导光栅的插入损耗成功降低约2 dB。相对于传统的硼磷硅玻璃工艺，此方法避免了剧毒气体磷烷的使用，工艺简便安全，同时降低了成本。最后，通过对光刻、增强型等离子体化学气相沉积法(PECVD)薄膜沉积、感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和高温退火回流等工艺步骤的改进、完善和优化，实现了额外损耗约为1.