交互氧化物，交互氮化物和保护层 图2.29显示了一个典型的现代金属系统的截面图。硅上的第一层物质是热生长氧化物。在这层氧化物上面的是多晶硅层，它最终会形成MOS晶体管的gate。在这层多晶层上的是叫做multilevel oxide（MLO）的一薄层沉积的氧化物层，它能隔离多晶并加厚热生长氧化物层。穿过MLO和热生长氧化物层蚀刻的是contact opening，它能接触silicon，也穿过MLO来接触多晶。跟着reflow后，contact opening被硅化来降低接触电阻。在MLO