0  引言 　　铁电存储技术早在1921年提出，直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品，目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年，FRAM又有新的发展，采用了0.35 m工艺，推出了3V产品，开发出“单管单容”存储单元的FRAM，最大密度可达256K位。 　　在单片机应用和智能仪器中，存储器已成为不可或缺的一部分，包括系统工作时存储临时性数据的RAM，以及永久性存储数据的非易失性存储器。RAM简单易用，存储速度快，但掉电数据

0  引言 　　铁电存储技术早在1921年提出，直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出个4K位的铁电存储器FRAM产品，目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。近几年，FRAM又有新的发展，采用了0.35 m工艺，推出了3V产品，开发出“单管单容”存储单元的FRAM，密度可达256K位。 　　在单片机应用和智能仪器中，存储器已成为不可或缺的一部分，包括系统工作时存储临时性数据的RAM，以及性存储数据的非易失性存储器。RAM简单易用，存储速度快，但掉电数据易丢失；而非易