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从安全工作区探讨IGBT的失效机理
本文阐述了各安全工作区的物理概念和超安全工作区工作的失效机理。讨论了短路持续时间Tsc和栅压Vg、集电极—发射极导通电压Vce(on)及短路电流Isc的关系。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-24
文件大小:266240
提供者:
weixin_38718223
元器件应用中的从安全工作区探讨IGBT的失效机理
摘要:本文阐述了各安全工作区的物理概念和超安全工作区工作的失效机理。讨论了短路持续时间Tsc和栅压Vg、集电极—发射极导通电压Vce(on)及短路电流Isc的关系。 1、 引言 半导体功率器件失效的原因多种多样。换效后进行换效分析也是十分困难和复杂的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作区(Safe Operating Area简称SOA)使用引起的。因此全面了解SOA,并在使用中将IGBT的最大直流电流IC和集电极—发射极电压Vce控制在SOA之内是十分重要的。SOA分为正偏安全
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-08
文件大小:279552
提供者:
weixin_38666823