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搜索资源 - 从第一性原理计算得出掺碳SnO2中的意外磁性能
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从第一性原理计算得出掺碳SnO2中的意外磁性能
我们在广义梯度近似(GGA)中采用自旋极化密度泛函理论(DFT)计算来研究C掺杂SnO2(SnO2:C)块状和薄膜的电子结构和磁性。 我们的结果表明,单个取代的C(CO)不会感应磁性,而COCO对可以意外地激活SnO2块中的短程铁磁性。 固有缺陷O空位(VO)触发隔离的CO原子上的局部力矩,但不会增强CO原子之间的铁磁(FM)耦合。 当取代的CO原子位于SnO2薄膜表面时,系统表现出反铁磁(AFM)功能,这与实验观察不一致。 SnO2:C系统中这种磁性行为的多样性突出了电子相关性与局部化之间的微
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-17
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38706455