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  1. 低功耗宽频带LDO线性稳压电路设计

  2. 本文设计了一种用HHNEC 0.35μmBCD 工艺实现的LDO 线性稳压器, 该LDO 是一款低功耗,带宽大的低压差线性稳压器。对其结构和工作原理进行分析, 讨论了关键电路的设计, 模拟结果验证了设计的正确性。
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    • 发布日期:2020-08-02
    • 文件大小:73728
    • 提供者:weixin_38592847
  1. 电源技术中的一种低功耗宽频带LDO线性稳压电路设计

  2. 摘要:设计了一种用HHNEC 0.35μmBCD 工艺实现的LDO 线性稳压器, 该LDO 是一款低功耗,带宽大的低压差线性稳压器。对其结构和工作原理进行分析, 讨论了关键电路的设计, 模拟结果验证了设计的正确性。   1 引言   随着集成电路规模的发展, 电子设备的体积、重量和功耗越来越小, 这对电源电路的集成化、小型化及电源管理性能提出了越来越高的要求。而随着片上系统( SOC) 的不断发展, 单片集成的LDO 线性稳压器的应用也越来越广泛[1]。对于片内的LDO,最担心的是寄生电容过
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-23
    • 文件大小:393216
    • 提供者:weixin_38650379
  1. 一种低功耗宽频带LDO线性稳压电路设计

  2. 设计了一种用HHNEC0.35μmBCD工艺实现的LDO线性稳压器,该LDO是一款低功耗,带宽大的低压差线性稳压器。对其结构和工作原理进行分析,讨论了关键电路的设计,模拟结果验证了设计的正确性。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:318464
    • 提供者:weixin_38666527
  1. 低功耗宽频带LDO线性稳压电路设计

  2. 论文针对片内应用而设计的这款LDO,能保证在uF 级别的寄生电容范围内都可以正常工作,毕竟寄生电容再大也不至于是μF 级别的。功耗是LDO 线性稳压器的重要指标之一,一般的LDO 功耗都在几十μA 以上,例如文献[2]中电路的静态电流为38μA,文献[3]中静态功耗高达65μA, 而本文的静态功耗做到10μA 左右,不仅功耗低,本文中第二级靠电阻的电流关系提供了一个小增益级,并且提高了整个LDO的带宽。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:446464
    • 提供者:weixin_38711369
  1. 一种低功耗宽频带LDO线性稳压电路设计[图]

  2. 设计了一种用HHNEC 0.35μmBCD工艺实现的LDO线性稳压器,该LDO是一款低功耗,带宽大的低压差线性稳压器。对其结构和工作原理进行分析,讨论了关键电路的设计,模拟结果验证了设计的正确性。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:299008
    • 提供者:weixin_38733414