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微波课程报告
整个文档包括三部分:LNA,GaAs FET,微带BPF设计。LNA主要是ADS建模与仿真,GaAs FET主要是实验测试,微带BPF设计包含了ADS建模仿真优化,实物制作与测试完整的过程
所属分类:
电信
发布日期:2012-05-23
文件大小:377856
提供者:
david_lee2013
元器件应用中的Hittite低噪中功率GaAs PHEMT MMIC放大器适于微波应用
Hittite Microwave公司推出三款新型 GaAs PHEMT MMIC放 大器——HMC342LC4、 HMC441LC3B和HMC442LC3B,适用于6至25.5GHz 频率范围的点对点、点对多点、调试设备、传感 器和军事应用。 HMC342LC4是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声 放大器,它采用符合RoHS要求的4×4mm SMT封装, 工作频率范围在13至25GHz。该放大器增益22dB, 噪声系数3.5dB,其RF I/O阻抗50Ω,内部直流 阻断,从而简
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-01
文件大小:34816
提供者:
weixin_38546789