双阈值电压（Vt）技术广泛应用于动态“或”电路中，以实现寄存器文件（RF）设计中的低泄漏，但其待机状态下所选睡眠向量会显着影响其有效性。随着技术扩展到更深的纳米时代，由于PVT（Craft.io，电源电压和温度）变化的影响，双Vt动态或（DV-OR）电路中的睡眠向量选择变得具有挑战性。在本文中，我们分析了DV-OR电路中PVT变化，泄漏特性和睡眠向量之间的关系。我们进一步对睡眠向量选择进行了全面研究，并探索了其在DV-OR电路中的设计空间。最后，我们对多个Vt动态OR电路进行了分析，并提供了睡眠