通过低温快速退火，发现在冷却开始时在铜膜中发生突然的热应力松弛，这极大地增加了双晶核化和生长的驱动力。 因此，在低至300°C的温度下，在晶圆级的镀铜膜中成功生产了高密度纳米孪晶（nt），这远低于常规Craft.io（550°C以上），使其与半导体完全兼容。行业。 这种增强的退火Craft.io不仅为大规模无空隙的nt-Cu合成以及半定量可控的孪晶间距提供了一种经济有效的方法，而且证明了不显眼的退火纳米孪晶在微电子学应用中的前景和意义。