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  1. 压力式温控器及低温补偿电路常见的故障及处理方法.

  2. 常见的故障及处理方法 白电技术\压力式温控器及低温补偿电路

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-07-05
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：srzyb9816

  1. 液晶lcd1602介绍

  2. DS18B20的主要特性 1.1、适应电压范围更宽，电压范围：3.0～5.5V，在寄生电源方式下可由数据线供电 1.2、独特的单线接口方式，DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯 1.3、DS18B20支持多点组网功能，多个DS18B20可以并联在唯一的三线上，实现组网多点测温 1.4、DS18B20在使用中不需要任何外围元件，全部传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内 1.5、温范围－55℃～＋125℃，在-10～+85℃时精度为

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2009-12-09
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：sagashaka

  1. 单片机中的ds18b20资料

  2. DS18B20的主要特性 1.1、适应电压范围更宽，电压范围：3.0～5.5V，在寄生电源方式下可由数据线供电 1.2、独特的单线接口方式，DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯 1.3、DS18B20支持多点组网功能，多个DS18B20可以并联在唯一的三线上，实现组网多点测温 1.4、DS18B20在使用中不需要任何外围元件，全部传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内 1.5、温范围－55℃～＋125℃，在-10～+85℃时精度为

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2009-12-09
    • 文件大小：262144
    • 提供者：sagashaka

  1. 400V 以下低压并网光伏发电专用逆变器技术要求和试验方法.pdf

  2. 400V 以下低压并网光伏发电专用逆变器技术要求和试验方法pdf,400V 以下低压并网光伏发电专用逆变器技术要求和试验方法CGC/GF001:2009(CNCA/CTS0004-2009) 84贮存 附录A (资料性附录) 表A并网光伏发电专用逆变器技术参数衣 附录B (资料性附录). 4555777 疠孤岛效应保护方案的选取 CGC/GE001:2009(CNCA/CTS0004-2009) 为推动和规范我国并网光伏逆变器的发展,适应国际贸易、技术和经济交流的需要,以及促进我 国并网光伏逆

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-31
    • 文件大小：335872
    • 提供者：weixin_38743968

  1. 太工天成 QQDAQ-3000系列信号隔离模块.pdf

  2. 太工天成 QQDAQ-3000系列信号隔离模块pdf,太工天成 QQDAQ-3000系列信号隔离模块②IA系列信号隔离模块 现,在 工业测控系统及(变频器、执行器、变送器)中配合使用,完善 和补充系统模拟插件功能,增加现场适用性和现场工作的可靠性。 采用光电隔离技术,完成输入、输出、电源三端口的相互电气隔离。 ●在模块内部的电路设计上,以低功耗、低温漂技术为基础,使产品能够长期 稳定工作,同时产品设有常模输入保护、干扰抑制、隔离等多种功能; 产品内部采用数字化调校、无零点及满度电位器、自动动态校

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-15
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38743968

  1. NI 常用传感器信号测量汇总.pdf

  2. NI 常用传感器信号测量汇总pdf,NI 常用传感器信号测量汇总分类法 型式 说明 物理型 采用物理效应进行转换 按基本效应 化学型 用化学效应进行转换 生物型 米用生物效应进行转换 按构成形式 结构型 以转换元件结构参数变化实现信号转换 物性型 以转换元件物理特性变化实现信号转换 按能量关系 能量转换型输出量直接由被测量能量转换而来 能量控制型输出量能量由外部能源提供,但受输入量控制 长度、位移、压 按输入量、温度、流量 以被测量命名〔即按用途分类) 距离 按输出量 模拟式 输出量为模拟信号(

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-15
    • 文件大小：726016
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 实用环路补偿工程设计方法.pdf

  2. 实用环路补偿工程设计方法pdf,环路补偿设计环路补偿參效嫮妥满足全工作范囤勺(翰入从低到高压,输从 栽到荡我,环境温度从低温到高涇)具有合适的窍越烦率( tcross frcqucncy)以反足够的相位佘量(45可能是个误解,最妤不小于 比,我们需要考容全工作范国内的比wcr叫se∴丶信弓特性,以便 于做出合造的补偿策略。如上图所示,装 !量,六济溟到的数裾保存为二进制 格式,dat,具体傚法是点击亠位机界面工县禚Fl dtx->文件名da保存后的煮据如下所 (口查看M工具T帮助(D 包

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：1041408
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 一种带隙基准源分段线性补偿的改进方法

  2. 为了减小带隙基准源的温度系数和提高温度补偿的灵活性，设计了一种改进型分段线性补偿方法。利用双极型晶体管的温度非线性在整个温度区域内产生7段不同斜率的补偿电流，通过电流模形式对基准电压的高阶温度分量进行叠加，进而对带隙基准电压实现精确温度补偿。基于0.25 μm BCD工艺设计了一款低温漂高精度的带隙基准源。HSPICE仿真结果表明，在5 V电源电压下，在-40 ℃～125 ℃温度范围内，基准电压的温度系数为0.37×10-6/℃，低频时电路的电源抑制比为-85 dB。电源电压在2 V～5 V范围

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：596992
    • 提供者：weixin_38589150

  1. 基于一阶温度补偿技术的CMOS电压源电路

  2. 为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，本文提出了一种在0.25mN阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5.283 1mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。 　　近年来，集成电路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：197632
    • 提供者：weixin_38750999

  1. 一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究

  2. 为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0．25μm N阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3 V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1 mV，室温时电路的功耗为5．283 1 mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：226304
    • 提供者：weixin_38628150

  1. 高电源抑制比低温漂带隙基准源设计

  2. 设计并实现了一种新的高PSRR、低TC带隙基准源。重点研究了带隙基准源电源抑制能力，尤其是高频PSRR，达到宽频带范围PSRR高性能指标。采用0.35 μm BiCMOS工艺进行仿真，结果表明，PSRR在1 Hz频率下达-108.5 dB，在15 MHz频率下达-58.9 dB；采用二次温漂补偿电路使得带隙基准源常温下输出参考电压1.183 V，在-40 ℃~95 ℃温度范围内，温漂系数低达1.5 ppm/℃。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：394240
    • 提供者：weixin_38701407

  1. 一种二阶补偿带隙基准设计

  2. 基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数，提出了一种新颖的二阶补偿结构，仅引入一股与温度成平方关系的电流，既补偿了低温阶段的基准电压，又补偿了高温阶段的基准电压，大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性。采用0.5 μm BCD工艺对电路进行仿真，结果表明，输出电压为1.24 V，温度范围在-35 ℃～135 ℃时，温度系数为2.82 ppm/℃；在低频时，电源抑制比达到了75.6 dB。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：418816
    • 提供者：weixin_38668672

  1. 一种高精度基准源电路

  2. 基于90 nm CMOS标准工艺，设计了一种低温漂的带隙基准源电路。一种结构新颖的温度曲率校正电路被采用，作为一级温度补偿电路的曲率校正电路。Hspice仿真结果表明：所设计电压源在温度－20 ℃～+120 ℃范围内，平均温度系数约为2.2 ppm/℃，获得了一个低压高精度的带隙基准电压源。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：320512
    • 提供者：weixin_38514501

  1. 电源技术中的一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计

  2. 0 引 言 　　便携式电子产品在市场上占有越来越大的份额，对低电压、低功耗的基准电压源的需求量大大增加，也导致带隙基准的设计要求有了较大的提高。带隙基准广泛应用于数／模转换、模／数转换、存储器以及开关电源等数模混合电路中。基准源的稳定性对整个系统的内部电源的产生，输出电压的调整等都具有直接且至关重要的影响。基准电压必须能够克服制造工艺的偏差，系统内部电源电压在工作范围内的变化以及外界温度的影响。 　　由文献可知传统的一阶补偿通常可以得到10 ppm／℃左右的温度系数，而新发展的比较成熟的补偿

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：244736
    • 提供者：weixin_38733355

  1. 电源技术中的采用测量放大电路推动的功放

  2. 放大器的前级采用了测量放大器电路，特点是运算精度高、输入阻抗高，增益容易调节，具有优良的共模抑制比以及低失调低温漂等。电路中Ａ１、Ａ２组成第一级差分放大器，Ａ３组成第二级差分放大电路（减法电路）。Ｒ３和Ｒ４、Ｒ５组成了深度的电压串联负反馈网络。第一级差放的增益为１０倍。第二级差放的增益为１倍。即此电路的总增益为１０倍。测量放大器的接法是单端输入、双端输出。 　　后级功放电路采用ＢＩＭＯＳ集成功率放大器ＳＨＭ１１５０Ⅱ。其内部由ＢＪＴ和ＭＯＳＦＥＴ混合制成。当电源电压为±４５Ｖ（极限值为５０Ｖ）时

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：48128
    • 提供者：weixin_38748382

  1. 元器件应用中的提高变容二极管调频电路频率稳定度的温度补偿方法(图)

  2. 引言　　在变容二极管调频电路中，载频频率的不稳定性主要由温度变化、电源电压变化、负载阻抗变化等因素引起的。可以通过减少外界因素的变化来提高频率稳定度，如采用高稳定度直流稳压电源来减少电源电压的变化，采用金属屏蔽罩减少外界电磁场的变化，或者提高谐振回路的标准性，如采用参数稳定的回路电感器和电容器，采用温度补偿法，改进安装工艺，减弱振荡管与谐振回路的耦合。　　在以上这些措施中，温度补偿法得到了广泛的应用。尤其是在军工产品方面，为了满足产品在高、低温环境下的工作性能要求，常常通过温度补偿法来减少温度对

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：95232
    • 提供者：weixin_38724349

  1. 电源技术中的一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计

  2. 在A／D和D／A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中，都需要高精度、高稳定性的基准电压源，并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式，其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点，因而得到了广泛的应用。 本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上，采用电流反馈、一级温度补偿等技术，同时在电路中加入启动电路，设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源，并在S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：199680
    • 提供者：weixin_38714653

  1. 无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源

  2. 结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管，提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的载流子迁移率和亚阈值斜率的温度系数。基于SMIC0.13μm的CMOS工艺的仿真结果表明，在温度为-55~90℃的范围内，输出电压的温度系数为5ppm/℃。在室温时，整个电路能在低到0.9V的电源电压下工作并消耗0.68μW的功耗。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：577536
    • 提供者：weixin_38751905

  1.  低功耗低温漂高PSR带隙基准电压源的设计

  2. 在专用医学微弱信号放大电路中，需要非常精准的电压源，为此，提出了一种新型的带隙基准电压源，采用低温补偿和高温补偿相结合的温度补偿方式，输出带隙基准电压为1.109 V，在-40~125 ℃范围内的温度系数为0.445~0.604 ppm/℃。同时采用了预稳压器来提高电路的PSR（电源抑制），使得PSR在10 Hz时为-127.5 dB，在100 kHz时达到-63 dB。文中设计的电路静态电流只有10 μA，消耗的功耗在36 μW左右。该带隙基准电路还有不随工艺变化的特点，工艺差别使输出电压最大

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38713061

  1. 基于一阶温度补偿技术的CMOS电压源电路

  2. 为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，本文提出了一种在0.25mN阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5.283 1mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。 　　近年来，集成电路的快

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：245760
    • 提供者：weixin_38586428
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