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  1. 元器件应用中的Vishay小尺寸100V势垒肖特基整流器典型VF低至0.56V

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出电流密度高达2A~4A、采用低尺寸表面贴装SMA和SMB封装的新款100V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。 　　此次发布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封装的VSSA310S和VSSA210，以及采用DO-214AA(SMB)封装的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封装的厚度分别只有2.29mm和2.44mm。 　　由于器件具有0.56V的极低典型前向电压降和优异的雪崩容量

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    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：56320
    • 提供者：weixin_38536716

  1. 单片机与DSP中的Microchip推出休眠电流低至20nA的8位PIC单片机

  2. Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）近日宣布推出多款全新8位PIC单片机（MCU），从而为低功耗单片机和外设集成树立了行业基准。全新的MCU工作电流不到50μA/MHz，休眠电流低至20nA。 　　PIC12F182X MCU将Microchip增强型中档8位内核产品线扩展至8引脚范畴，并具备mTouch电容触摸传感和通信外设。PIC16F19XX MCU具备广泛的外设，如mTouch电容触摸传感模块、LCD驱动、多种通信和更多脉宽调制（PWM）外设。所有这些

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：215040
    • 提供者：weixin_38677936

  1. 电源技术中的凌力尔特高压、低压差线性稳压器可在低至 -55℃工作

  2. 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高压线性稳压器 LT1763、LT3008 和 LT3010 的更宽温度范围新版本。新的高可靠性“MP”级器件在 -55oC 至 +125°C 的温度范围内工作，适用于包括航空电子、军事、工业、汽车、RF 和电信等多种应用。 　　LT1763 是一个 500mA LDO，仅使用一个纤巧的 0.01uF 旁路电容器可在 10Hz 至 100kHz 的带宽范围内具有不到 20uVRMS 的输出噪声。电源电流仅为 30

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：91136
    • 提供者：weixin_38518074

  1. Atmel新推32位闪存微控制器功耗低至1.65mW/DMI

  2. Atmel Corporation(爱特梅尔)日前宣布推出32位闪存(Flash)微控制器。以Atmel的AVR 32 UC内核为基础，UC3A系列拥有512K字节的闪存，并拥有一个内置10/100以太网媒体接入控制器(MAC)、一个具有OTG(on-the-go)功能的全速(12Mbps)USB 2.0以及一个SRAM/SDRAM外部总线接口。首批推出的设备AT32UC3A0512和AT32UC3A1512能够以66MHz的速率提供80 Dhrystone MIPS(DMIPS)的性能，且只需

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    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38710781

  1. 元器件应用中的IR的MOSFET导通电阻低至4.5mΩ

  2. 国际整流器公司(International Rectifier, IR)推出75V至100V的系列HEXFET MOSFET，适用于AC-DC同步整流(SR)和ORing电路。 　　此系列MOSFET具有很低的导通电阻(IRFB4310为7mΩ，IRFB3207为4.5mΩ)，适用于多种不同ac-dc拓扑结构(包括回扫、半桥、全桥和正向转换器)的辅面(secondary side)，并提高膝上型电脑/LCD适配器和服务器ac-dc SMPS应用的效率及功率密度。 　　采用同步整流MOSFET代替

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：39936
    • 提供者：weixin_38553275

  1. 元器件应用中的安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ

  2. 安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET，适用于-430mA至-950mA应用，如功率负载开关、电源转换器电路和手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器，以及便携式GPS系统中的电池管理等。 　　这些新型的低压MOSFET采用安森美公司的Trench技术，增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(RDS(on))，其RDS(on)范围介于150至

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    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38614484

  1. 元器件应用中的Vishay超薄高电流表面贴装电感DCR低至3mΩ

  2. Vishay公司宣布推出封装尺寸为2525的新型超薄表面贴装电感器系列――IHLP-2525AH-01。此系列器件的饱和电流额定值为40A，在1.8mm厚的封装中具有低至3.0mΩ的典型DCR值。新器件可为多种终端产品中的DC/DC转换器及蓄能应用提供小型低功耗解决方案，这些终端产品包括计算机、服务器、电信及汽车电子设备，以及高电流电源和负载点(POL)转换器、配电系统及现场可编程门阵列(FPGA)。 　　IHLP-2525AH-01表面贴装电感器尺寸为6.47×6.86mm，在0.

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    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38722944

  1. 电源技术中的IR推出导通电阻低至4.5mΩ的AC/DC同步整流MOSFET

  2. 国际整流器公司(International Rectifier, IR)推出75V至100V的系列HEXFET MOSFET，适用于AC/DC同步整流(SR)和ORing电路。 　　此系列MOSFET具有很低的导通电阻(IRFB4310为7mΩ，IRFB3207为4.5mΩ)，适用于多种不同AC/DC拓扑结构(包括回扫、半桥、全桥和正向转换器)的辅面(secondary side)，并提高膝上型电脑/LCD适配器和服务器AC/DC SMPS应用的效率及功率密度。 　　采用同步整流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：40960
    • 提供者：weixin_38670208

  1. 元器件应用中的安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ 2005

  2. 安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET，适用于-430mA至-950mA应用，如功率负载开关、电源转换器电路和手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器，以及便携式GPS系统中的电池管理等。 　　这些新型的低压MOSFET采用安森美公司的Trench技术，增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(RDS(on))，其RDS(on)范围介于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38741891

  1. 工业电子中的Atmel新推32位闪存微控制器功耗低至1.65mW/DMI...

  2. Atmel Corporation(爱特梅尔)日前宣布推出32位闪存(Flash)微控制器。以Atmel的AVR 32 UC内核为基础，UC3A系列拥有512K字节的闪存，并拥有一个内置10/100以太网媒体接入控制器(MAC)、一个具有OTG(on-the-go)功能的全速(12Mbps)USB 2.0以及一个SRAM/SDRAM外部总线接口。首批推出的设备AT32UC3A0512和AT32UC3A1512能够以66MHz的速率提供80 Dhrystone MIPS(DMIPS)的性能，且只需

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：81920
    • 提供者：weixin_38745434

  1. 元器件应用中的威盛电子1.5GHz VIA Eden处理器功耗低至3.5W..

  2. 威盛电子(VIA)日前宣布推出最新搭配VIA V4总线的VIA Eden处理器，包括低电压、高功效的VIA Eden ULV处理器，它采用21mm×21mm的nanoBGA2封装。     据介绍，1GHz VIA Eden ULV处理器集合了先进的VIA CoolStream架构的优势，采用90纳米的制造工艺，达到3.5瓦的设计功耗，而1.5GHz的处理器也只有7.5瓦的功耗，在系统空闲时处理器功耗只有0.5瓦。     据称，VIA C7处理器家族的高效的VIA V4总线接口让VIA

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    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38617451

  1. 传感技术中的Quantum触摸传感器闲时功耗低至20μA..

  2. 电容式触摸产品公司Quantum Research日前发布其QSlide和QWheel芯片的增强版本,分别为QT411和QT511。这两种器件采用TSSOP封装，主要针对便携式和家用电器应用。据称具有更低的功耗，增强了在苛刻感测条件下工作的能力，并且能很方便地在转轮中心安置一个机械按钮(QT511)，使转轮无需反应无意的触摸。     两种芯片都具有用户可选择睡眠时间的特性，在空闲模式时可将功耗降低至20μA。该芯片改善了在快速温度周期变化环境下的性能，使其能够应用于微波炉和洗衣机。器件的电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38653508

  1. 电源技术中的国半100mA低压降线性稳压器噪声低至6.5mVRMS

  2. 美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation，简称国半)宣布推出一款全新的迷你型CMOS线性稳压器。该器件具有业界公认最低输出噪声和良好的电源纹波抑制能力，静态电流低至25mA。这款型号为LP5900的100mA低压降线性稳压器可为模拟及射频信号路径的集成电路供电，适用于低噪声放大器、压控振荡器及射频接收器等集成电路。   　　LP5900线性稳压器的输出噪声低至6.5mVRMS，而且无需另外加设旁路电容器，但电源抑制比(PSRR)高达75dB。 该

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38516386

  1. Vishay功率MOSFET在1.5V电压下的RDS低至45mΩ

  2. Vishay公司推出五款新型P通道负载开关，这些是业界首款能够以1.5V栅极驱动电压提供低导通电阻值的器件，而且导通电阻(RDS)低至45mΩ。凭借低阈值电压以及确保可在1.5V栅极驱动电压下运行的规范，这些新型器件使设计人员无需使用电平转换电路，并且最大程度地实现了电池供电系统中低工作电压的省电优势。     这五款功率MOSFET中的两款采用LITTLE FOOT TSOP-6封装的器件，它们分别具有20V (Si3495DV)和-8V(Si3499DV)漏极到源极击穿电压，在栅极驱动电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：40960
    • 提供者：weixin_38689824

  1. 模拟技术中的凌特推出噪声低至550nVP-P的18MHz CMOS放大器

  2. 凌特公司(Linear Technology)推出一系列新型电压噪声CMOS放大器——LTC6241和LTC6242。新器件具有与双极型放大器同样低的电压噪声。LTC6241双路和LTC6242四路放大器在0.1Hz至10Hz之间具有550nVP-P低噪声，其电压噪声比现有CMOS放大器少3倍。因此可在多种需要高阻抗输入的高端仪表、医疗和通信应用中实现最高信号分辨率。     凌特的LTC6241和LTC6242具有1pA偏置电流和低于125uV的输入失调电压。偏压漂移保证低于2.5uV/℃

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38738830

  1. 电源技术中的凌特全差分16位ADC驱动器工作电压可低至2.375V

  2. 凌特公司(Linear Technology)推出驱动高分辨率模数转换器(ADC)的最新全差分放大器——LT1994。该器件在电压低至2.375V时仍保证工作，并具有轨至轨输出，是业界唯一无需负电源就可直接驱动2.5V和3V SAR ADC的差分放大器。               LT1994在1MHz和3nV/√Hz的极低电压噪声时实现了-94dBc的谐波失真，在最低的电源电压上具有最宽的动态范围。凌特公司信号调理产品线总经理Erik Soule说：“由于模数转换器向更低电压、单电源

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38516040

  1. 电源技术中的Vishay新型四元电阻阵列匹配容差低至0.1％

  2. Vishay Intertechnology日前推出新型四元扁平芯片电阻阵列ACAS 0612，匹配容差低至0.1%。这些阵列将四个薄膜电阻整合到占位面积为1.6mm×3.2mm单个封装中，与用4个分立0603电阻相比，其占位面积减小了40%。  　　据介绍，新型Vishay Beyschlag ACAS 0612系列电阻阵列具有高精度版和专业版，具有低至±25ppm/K的TCR(绝对温度电阻系数)以及10ppm/K的跟踪TCR。在多种配置中包括4个同值、4个不同值或2个同值对。这些器件具有介于

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    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：61440
    • 提供者：weixin_38690407

  1. 电源技术中的飞兆单比特位双向电压转换器FXLH1T45性能低至1.1V

  2. 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出业界唯一保证工作电压范围在3.6V至1.1V的单比特位双向电压转换器FXLH1T45，可简化超便携式、计算、通信和工业应用的设计。这款单比特位双向电压转换器可在多个电压级之间提供单向和双向电压转换，从而实现在不同电压级工作的处理器与电子子系统之间的无缝连接。FXLH1T45可工作于低至1.1V的电压，非常适合超便携式应用的低功耗要求。 FXLH1T45采用飞兆半导体的超紧凑(1.0mm×1.45mm)6端子MicroPak封装

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38730767

  1. 在垂直排列的TiO2纳米片上具有亚5纳米间隙的三维堆叠金纳米粒子，可用于低至10 fM规模的表面增强拉曼散射检测

  2. 在垂直排列的TiO2纳米片上具有亚5纳米间隙的三维堆叠金纳米粒子，可用于低至10 fM规模的表面增强拉曼散射检测

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38693173

  1. 基于分布式反馈激光的强度稳定的快速扫描直接吸收光谱仪，检测灵敏度低至4 x 10（-6）

  2. 基于分布式反馈激光的强度稳定的快速扫描直接吸收光谱仪，检测灵敏度低至4 x 10（-6）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-07
    • 文件大小：524288
    • 提供者：weixin_38552239
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