本文报道了使用互补金属氧化物半导体兼容接触材料在独立式GaN晶片上的垂直氮化镓（GaN）PN二极管。 已经进行了静态和开关电流-电压测量，以评估制造的垂直GaN PN二极管。 本文中的垂直GaN PN二极管显示的导通电压Von约为3.3-3.4 V，开/关电流比约为2.7 x 10（7），理想因数n约为2.1。 在300 K和500 K的测试温度下，反向恢复时间Trr分别为21.2 ns和23.2 ns。导通状态电阻Ron为3.9 m Omega.cm（2），击穿电压V-BR为2.4 kV，该设