我们报道了通过脉冲金属-有机化学气相沉积法生长的In0.17Al0.83 N中间层在GaN膜的晶体质量方面的改进，该Ninterlayer与GaN膜在面内晶格匹配。 通过高分辨率X射线衍射估计，铟成分约为17％，并且具有InAlN中间层的GaN膜中的螺线位错和边缘线位错（TD）减少。 使用透射电子显微镜（TEM）测量来了解TD密度降低的机理。 拉曼光谱和光致发光测量表明，InAlN中间层可以改善GaN膜的晶体质量，并验证在使用InAlN中间层的GaN膜中没有引起额外的残余应力。 原子力显微镜测量