多年来，在由μμ引起的单小子生产通道的气泡腔室测量之间的长期差异导致了小子生产横截面参数的巨大不确定性。 我们扩展了解决这一差异的氘泡室中对离子产生数据的重新分析（Wilkinson等人，PRD 90，112017 2014），以包括νμn→μ-pπ0和νμn→μ-nπ+通道，并使用所得结果 数据以适合GENIE pion生产模型的参数。 我们发现一组参数可以比GENIE默认参数更好地描述气泡室数据，并为使用GENIE模型的中微子振荡和截面分析提供更新的中心值和减少的不确定性。 我们发现GENI