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  1. java实现全屏俘获

  2. java 实现屏幕的俘获功能纯Java代码，标准程序，无错误

  3. 所属分类：Java

    • 发布日期：2013-05-29
    • 文件大小：14336
    • 提供者：u010874398

  1. 使用XMASS-I检测器在Xe上搜索两个中微子双电子俘获

  2. 双电子捕获是一种罕见的核衰变过程，其中两个轨道电子在同一原子核中同时被捕获。 它的两个中微子模式的测量将为核矩阵元素的计算提供新的参考，而其中微子模式的观察将证明轻子数的违反。 使用XMASS-I液体氙探测器收集的165.9天的数据，对124Xe上的两个中微子双电子捕获进行了搜索。 没有观察到超过背景的显着过量，我们在90％置信水平下将半衰期设置为4.7×1021年的下限。 所获得的限制排除了一些理论上的期望。 在90％置信度下，我们也获得了126Xe两个中微子双电子俘获半衰期的下限，即4.3×

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-04
    • 文件大小：337920
    • 提供者：weixin_38744778

  1. 中微子振荡中中微子电磁特性的俘获离子模拟

  2. 我们提出一种方法来研究中微子的电磁特性，方法是根据捕获的耦合离子模拟稠密背景物质和外部电磁场中的中微子振荡。 我们发现可以通过使用足够大的对角线物质势和外部磁场来模拟中微子和反中微子的产生。 我们进一步表明，风味中微子的跃迁概率具有丰富的特征和对应于中微子磁矩和电荷的时间尺度。 尤其是，这些特征和比例可以通过调整激光参数来实现。 最后，我们表明，可以根据俘获离子系统中的风味中微子跃迁概率来检测毫电荷和磁矩。 我们的方法为测量中微子电磁特性提供了有用的线索，以用于实验实现。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-03
    • 文件大小：445440
    • 提供者：weixin_38590685

  1. 163 Ho电子俘获中微子质量实验的统计灵敏度

  2. 使用热探测器进行的大容量中微子质量实验可能会在评估中微子质量的挑战中发挥关键作用。 本文介绍了一种基于蒙特卡洛方法的工具，该工具已经开发出来，可以估算使用163 Ho电子俘获衰减进行量热直接中微子质量测量的统计灵敏度。 该工具用于研究各种实验参数的影响。 在本文中，我报告了对设计具有亚eV灵敏度的实验有用的结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-30
    • 文件大小：664576
    • 提供者：weixin_38719643

  1. 质子中子俘获中的奇偶校验违规：确定弱的π-核子耦合

  2. 在手性有效场理论的框架下，我们研究了质子在热能下质子俘获的奇偶分析能力。 通过将此分析与先前对质子-质子散射奇偶性违规的分析相结合，我们能够提取弱介子-核子耦合常数的大小。 不确定性是很大的，并且受实验误差的支配，预计很快就会减少。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-30
    • 文件大小：359424
    • 提供者：weixin_38574132

  1. 规制俘获的辨识与测量：基于中国转轨时期的实证研究

  2. 规制俘获的辨识与测量：基于中国转轨时期的实证研究，李健，，转轨国家面临的一个突出问题是寡头企业以巨大的社会成本干预政府规制政策的制定与执行。然而学术界一直缺少系统性的研究来辨别、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-03
    • 文件大小：336896
    • 提供者：weixin_38610277

  1. 全球价值链俘获效应的中国行业计量证据

  2. 全球价值链俘获效应的中国行业计量证据，周四清，张昱凡，分析和检验发展中国家在全球价值链分工体系中由低端向高端进化时是否存在全球价值链俘获效应的制约和控制是一个很有价值的研究课

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-24
    • 文件大小：567296
    • 提供者：weixin_38734037

  1. 电流变悬浮液在Poiseuille流场中的俘获效应的模拟研究

  2. 电流变悬浮液在Poiseuille流场中的俘获效应的模拟研究，朱石沙，唐斌，以修正的Maxwell-Wagner模型为基础，采用分子动力学方法，模拟了电流变悬浮液在Poiseuille流场下的三维结构变化，并分析了俘获效应对电流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-07
    • 文件大小：380928
    • 提供者：weixin_38729438

  1. 基于原子冷却与俘获的单原子制备及光学操控的实验进展

  2. 基于原子冷却与俘获的单原子制备及光学操控的实验进展，王婧，何军，本文综述了基于原子冷却与俘获的单原子制备及其光学操控的基本实验原理及实验进展，并介绍了单原子制备及光学操控在量子寄存器、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38599412

  1. 基于表面等离激元光学旋涡光镊的瑞利颗粒的俘获研究

  2. 基于表面等离激元光学旋涡光镊的瑞利颗粒的俘获研究，张聿全，施巍，近年来关于光学漩涡光镊的研究吸引了广泛的关注，但对于表面等离激元光学漩涡（SPOV）这一特殊旋涡光镊的研究相对较少。本文利用Ma

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-28
    • 文件大小：830464
    • 提供者：weixin_38545485

  1. 光子禁带环境中纠缠俘获提升

  2. 光子禁带环境中纠缠俘获提升，张英杰，韩伟，基于弱测量和量子反转测量，我们对两初始纠缠比特在各自独立光子禁带模型中发生纠缠俘获的现象进行了研究。发现，通过调节弱测量

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-28
    • 文件大小：711680
    • 提供者：weixin_38569569

  1. 低数值孔径聚焦系统俘获多个Rayleigh粒子

  2. 两束不同偏振态的光入射到由两个透镜组成的聚焦系统，利用Richard-Wolf 矢量衍射理论计算系统的衍射场分布，分析了数值孔径(NA)较小时系统对Rayleigh 粒子的俘获特性。金粒子的折射率大于周围介质(nm)，空气泡的折射率小于周围介质。NA=0.58 nm 时，光轴上产生明暗相间的光斑阵列，可以用来同时俘获多个亚波长大小的金粒子和空气泡。NA=0.35 nm时，沿着光轴产生波长大小的圆环阵列，可2D 俘获多个空气泡。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-25
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38685608

  1. Sonos型非易失性存储微电子工程中使用HfAlO复合氧化物薄膜增强电荷俘获性能133，88 * 2015）

  2. Sonos型非易失性存储微电子工程中使用HfAlO复合氧化物薄膜增强电荷俘获性能133，88 * 2015）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38502929

  1. 可变温度开尔文探针力显微镜研究可缩放厚度俘获层的电荷损失机理

  2. 在这封信中，通过开尔文探针力显微镜（KFM）技术研究了随着超薄HfO2电荷俘获层厚度的减小而产生的电荷俘获存储器的保留特性。 实验结果表明，随着HfO2厚度的减小和温度的升高，保持性能变差。 根据从接触电势差中提取的总剩余电荷密度和侧向泄漏电荷密度，我们发现垂直电荷泄漏是电荷损失相对于侧向电荷重新分布的主要作用。 此外，在高温下从KFM分析中提取了有效的陷阱能，并得出结论，更深的HfO2层中的侧向电荷再分布受到抑制是由于陷阱能越深所致。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-16
    • 文件大小：542720
    • 提供者：weixin_38653878

  1. 基于PMMA薄膜作为电荷俘获层的非易失性有机场效应晶体管存储器的温度相关电传输特性分析

  2. 基于PMMA薄膜作为电荷俘获层的非易失性有机场效应晶体管存储器的温度相关电传输特性分析

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38611527

  1. 重掺杂无结纳米线晶体管的表面累积层中的电荷俘获

  2. 我们研究了飞秒激光光刻在重n掺杂绝缘体上硅晶片上制造的无结纳米线晶体管表面累积层中的电导率特性。 当栅极电压比平带电压更正时，累积区域的电导率被完全抑制。 在积累层中提取的低场电子迁移率估计为1.25 cm2V1s1。 随时间变化的漏极电流。在6 K下测得，可预测带隙内Si-SiO2界面处存在复杂的陷阱态。 由于存在大密度的界面带电陷阱而产生的大库仑散射，可以很好地描述积聚层的受抑制的漏电流和相当低的电子迁移率。 界面态的电荷俘获和散射效应成为电子在积累区中迁移率降低的主要原因。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38734993

  1. 考虑NBTI空穴俘获释放机制的组合逻辑门延迟预测

  2. 随着集成电路工艺尺寸下降到纳米级,负偏置温度不稳定性(NBTI)成为影响电路可靠性的首要老化效应.精确的老化预测模型是节省防护开销的重要前提.针对已有反应扩散机制下阈值电压变化预测模型存在的预测偏差问题,本文分析了NBTI空穴俘获释放机制下阈值电压变化模型,提出了新的组合逻辑门传输延迟预测模型(TDDP),达到了更精确预测数字电路老化的目的,为老化防护提供了更优的参考模型.实验结果表明,针对设置时序余量的老化防护方法,在保证10年等值生命周期可靠性的前提下,参考TDDP模型比参考已有的RD延迟模

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：861184
    • 提供者：weixin_38588854

  1. 电子俘获材料提供高密度存储

  2. 电子俘获材料提供高密度存储

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：712704
    • 提供者：weixin_38600017

  1. 双模量子光场驱动的拉曼型光致离化系统中原子的相干俘获

  2. 研究了由双模量子光场驱动的拉曼(Raman)型光致离化系统中原子的相干俘获性质，分析了反映原子-光场耦合性质的参量对系统相干俘获的影响，论证了在一定的条件下，双模SU(2)相干光场可以将原子完全俘获。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38651445

  1. 激光俘获放射性镭

  2. 激光俘获放射性镭

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：914432
    • 提供者：weixin_38556737
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